【摘要】：近年來,信息技術發(fā)展日新月異�；ヂ�(lián)網(wǎng)時代的浪潮還未遠去,大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)的新一代信息革命已經(jīng)蓄勢待發(fā)了,這帶來了對計算技術和存儲技術越來越高的要求。磁性隨機存儲器因為其具有的非易失性、高存儲密度、低功耗、高穩(wěn)定性且與CMOS工藝完全兼容等突出的優(yōu)點,成為了存儲器領域下一代主流存儲器的有力爭奪者。三星、英特爾等國際存儲器領域領先的公司都十分關注這一領域的研究。目前在磁存儲器領域,自旋軌道力矩磁性隨機存儲器是一個非常有潛力的研究方向。基于自旋軌道力矩的磁性隨機存儲器,相比于上一代的自旋轉移力矩磁性隨機存儲器,具有抗干擾更強,寫入速度更快,寫入功耗更小等優(yōu)點。本文對基于自旋軌道力矩的磁隧道結的物理模型進行了研究和分析,得到了其電阻特性和翻轉條件,在此基礎上使用Verilog-A語言建立了基于自旋軌道力矩的磁隧道結的電路行為模型并進行了測試和驗證。在保證了模型合理性的前提下,設計了以預充式靈敏放大器為核心的讀寫電路,完成了一位的磁性隨機存儲器單元,進行了讀寫測試,為磁性隨機存儲器的電路設計提供了參考。另一方面,基于自旋軌道力矩控制磁疇壁移動實現(xiàn)了具有積分功能的模擬器件。首先在理論方面,對積分器原理進行了推導�；趯嶒灁�(shù)據(jù),使用Verilog-A模型建立了模擬器件的算法級模型,并進行了測試。結果表明,當疇壁移動速度與電流嚴格成正比時,這種器件的積分功能成立。這為自旋軌道力矩在模擬電路領域的應用打開了新的思路。
【圖文】：

儲器才被應用于計算機理機制被發(fā)現(xiàn)后，美國國(Magnetic resistance, MR的電流輸出，即使磁場度很高，，克服了傳統(tǒng)薄倍。第一代磁性存儲器y Memory)。agnetic Tunnel Junction, M磁存儲器的中間層是絕它的電阻會大很多[12]，于高了讀取設備對信號變

TT-MRAM 斷電后并不會改變 MTJ 自非易失性也是幾乎所有下一代存儲器常有希望追上 SRAM(靜態(tài)隨機存儲性極強。因為上述這些足以與傳統(tǒng)半有希望最成熟的新一代存儲器之一。 具有很強的比較優(yōu)勢，但是現(xiàn)代社會越來越高的，STT-MRAM 目前仍然的臨界電流密度仍然比較大，導致的型化導致電阻變化率會出現(xiàn)降低，在 中，讀寫電流路徑相同，因此會造成很多方向，發(fā)現(xiàn)利用自旋軌道耦合(S流產(chǎn)生自旋軌道力矩(Spin-orbit TorT 的 MRAM 是一個 3 端器件，它將讀M的一個熱門研究方向，很有希望成
【學位授予單位】：華中科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2019
【分類號】：TP333

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本文編號：2605578