【摘要】：近年來,信息技術(shù)發(fā)展日新月異。互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的浪潮還未遠(yuǎn)去,大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)的新一代信息革命已經(jīng)蓄勢(shì)待發(fā)了,這帶來了對(duì)計(jì)算技術(shù)和存儲(chǔ)技術(shù)越來越高的要求。磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器因?yàn)槠渚哂械姆且资浴⒏叽鎯?chǔ)密度、低功耗、高穩(wěn)定性且與CMOS工藝完全兼容等突出的優(yōu)點(diǎn),成為了存儲(chǔ)器領(lǐng)域下一代主流存儲(chǔ)器的有力爭(zhēng)奪者。三星、英特爾等國(guó)際存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)先的公司都十分關(guān)注這一領(lǐng)域的研究。目前在磁存儲(chǔ)器領(lǐng)域,自旋軌道力矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器是一個(gè)非常有潛力的研究方向�；谧孕壍懒氐拇判噪S機(jī)存儲(chǔ)器,相比于上一代的自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,具有抗干擾更強(qiáng),寫入速度更快,寫入功耗更小等優(yōu)點(diǎn)。本文對(duì)基于自旋軌道力矩的磁隧道結(jié)的物理模型進(jìn)行了研究和分析,得到了其電阻特性和翻轉(zhuǎn)條件,在此基礎(chǔ)上使用Verilog-A語言建立了基于自旋軌道力矩的磁隧道結(jié)的電路行為模型并進(jìn)行了測(cè)試和驗(yàn)證。在保證了模型合理性的前提下,設(shè)計(jì)了以預(yù)充式靈敏放大器為核心的讀寫電路,完成了一位的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元,進(jìn)行了讀寫測(cè)試,為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的電路設(shè)計(jì)提供了參考。另一方面,基于自旋軌道力矩控制磁疇壁移動(dòng)實(shí)現(xiàn)了具有積分功能的模擬器件。首先在理論方面,對(duì)積分器原理進(jìn)行了推導(dǎo)�；趯�(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),使用Verilog-A模型建立了模擬器件的算法級(jí)模型,并進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果表明,當(dāng)疇壁移動(dòng)速度與電流嚴(yán)格成正比時(shí),這種器件的積分功能成立。這為自旋軌道力矩在模擬電路領(lǐng)域的應(yīng)用打開了新的思路。
【圖文】：

儲(chǔ)器才被應(yīng)用于計(jì)算機(jī)理機(jī)制被發(fā)現(xiàn)后，美國(guó)國(guó)(Magnetic resistance, MR的電流輸出，即使磁場(chǎng)度很高，，克服了傳統(tǒng)薄倍。第一代磁性存儲(chǔ)器y Memory)。agnetic Tunnel Junction, M磁存儲(chǔ)器的中間層是絕它的電阻會(huì)大很多[12]，于高了讀取設(shè)備對(duì)信號(hào)變

TT-MRAM 斷電后并不會(huì)改變 MTJ 自非易失性也是幾乎所有下一代存儲(chǔ)器常有希望追上 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)性極強(qiáng)。因?yàn)樯鲜鲞@些足以與傳統(tǒng)半有希望最成熟的新一代存儲(chǔ)器之一。 具有很強(qiáng)的比較優(yōu)勢(shì)，但是現(xiàn)代社會(huì)越來越高的，STT-MRAM 目前仍然的臨界電流密度仍然比較大，導(dǎo)致的型化導(dǎo)致電阻變化率會(huì)出現(xiàn)降低，在 中，讀寫電流路徑相同，因此會(huì)造成很多方向，發(fā)現(xiàn)利用自旋軌道耦合(S流產(chǎn)生自旋軌道力矩(Spin-orbit TorT 的 MRAM 是一個(gè) 3 端器件，它將讀M的一個(gè)熱門研究方向，很有希望成
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類號(hào)】：TP333

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