混合NAND型閃存實驗平臺的研究
【圖文】:
震性好等優(yōu)良特性,隨著閃存價格的下降和容量的增加介質(zhì)的存儲器逐漸步入數(shù)據(jù)存儲的舞臺,并占據(jù)主導(dǎo)地硬盤的趨勢(Bouganim et al 2009; Gray et al 2008; Lee 表 1-1 是一款 SSD 和傳統(tǒng)磁盤的對比數(shù)據(jù),從表中可方面比傳統(tǒng)磁盤都有較大優(yōu)勢。閃存存儲器比傳統(tǒng)磁盤有優(yōu)勢,但其自身也存在很多問的磁道、盤面、柱面、扇區(qū)的結(jié)構(gòu)不同,閃存是由塊(個塊包含固定數(shù)目的數(shù)據(jù)頁(Page),一般是 64 頁, 據(jù) 頁 為 單 位 , 而 磁 盤 是 按 字 節(jié) 操 作 ; 閃 存 不 支 持 原ce Update),因此如果需要執(zhí)行一次更新操作,則需要所在的物理塊進行擦除,然后進行其他操作;閃存的擦般為一百萬次,頻繁的擦除會大大降低閃存的壽命。此程中,由于已有的計算機系統(tǒng)是針對磁盤進行性能優(yōu)化的性能并沒有得到最大的利用。
普通的場效應(yīng)管和半導(dǎo)體晶體管類似,不同的是,閃存芯片的晶體管中入了“控制柵”(Control Gate)和“浮動?xùn)拧保‵loating Gate)?刂茤艑⒆右瞥龌蜃⑷敫?xùn);而浮動(xùn)疟砻姘擦艘粚庸柩趸锝^緣體,通過制柵與電容耦合,達(dá)到貯存電子的目的。當(dāng)負(fù)電子從浮動?xùn)艃?nèi)移出,對應(yīng)單晶體管的狀態(tài)就由 0 變成 1;相反,當(dāng)在控制柵的作用下負(fù)電被注入浮動?xùn)艜r,對應(yīng)單晶體管的狀態(tài)就由 1 變成 0。在寫入數(shù)據(jù)之,閃存芯片必須將浮動?xùn)艃?nèi)的負(fù)電子全部移走,將相關(guān)閃存存儲塊中位的存狀態(tài)都置為 1,改操作即擦除操作,因此,擦除操作也是最耗時。
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號】:TP333
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