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LPDDR4中錯(cuò)誤檢查和糾錯(cuò)電路設(shè)計(jì)與靜態(tài)時(shí)序分析

發(fā)布時(shí)間:2020-03-18 16:51
【摘要】:隨著電子設(shè)備處理器運(yùn)行速度的不斷提升,對(duì)移動(dòng)終端內(nèi)存處理數(shù)據(jù)的速度也要相應(yīng)的提高,在保證高速運(yùn)行的同時(shí)也要保證數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性,而帶有ECC(Error checking and correction)功能的LPDDR4-SDRAM(Low Power Double Rate SDRAM)可以在不中斷當(dāng)前運(yùn)行狀態(tài)的前提下對(duì)出錯(cuò)數(shù)據(jù)進(jìn)行糾正,有效地提高了內(nèi)存的穩(wěn)定性。隨著數(shù)字集成電路規(guī)模的飛速增長(zhǎng),關(guān)鍵路徑的時(shí)序收斂已成為電路正常工作的重要標(biāo)準(zhǔn),能夠準(zhǔn)確發(fā)現(xiàn)關(guān)鍵路徑的靜態(tài)時(shí)序分析(Static Timing Analysis)因具有近乎100%電路覆蓋等優(yōu)點(diǎn)而受到研究者廣泛關(guān)注,尤其當(dāng)芯片設(shè)計(jì)進(jìn)入納米級(jí),片上工藝差和信號(hào)完整性也是靜態(tài)時(shí)序分析研究的主要內(nèi)容。論文研究?jī)?nèi)容來(lái)自于美光半導(dǎo)體一款用于移動(dòng)通信終端的內(nèi)存芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目,論文針對(duì)內(nèi)存頻率為2133MHz,工作電壓為1v的LPDDR4-SDRAM芯片中ECC模塊,基于全定制設(shè)計(jì)的靜態(tài)時(shí)序分析方法,研究ECC模塊在讀操作、寫(xiě)操作以及掩蔽寫(xiě)操作中時(shí)序分析及其優(yōu)化問(wèn)題,并完成Verilog測(cè)試平臺(tái)搭建及測(cè)試驗(yàn)證。該模塊在算法得到優(yōu)化的基礎(chǔ)上,電路結(jié)構(gòu)隨之改變,對(duì)電路的理解要求較高,編寫(xiě)正確的constraint成為工作難點(diǎn)。本文針對(duì)電路結(jié)構(gòu)的改變提出了一種根據(jù)數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)采集數(shù)據(jù)的方法,搭建測(cè)試平臺(tái)精準(zhǔn)的采集到了仿真數(shù)據(jù)。論文的主要工作包括:首先,在深入分析LPDDR4-SDRAM讀寫(xiě)與掩蔽寫(xiě)操作時(shí)的時(shí)序特征,以及ECC模塊在寫(xiě)入操作、讀取操作和掩蔽寫(xiě)操作通路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,提出針對(duì)ECC模塊的單比特與多比特靜態(tài)時(shí)序分析方案。其次,基于Synopsys的PrimeTime平臺(tái),完成全定制設(shè)計(jì)電路LPDDR4-SDRAM的ECC模塊的靜態(tài)時(shí)序分析。為了得到關(guān)鍵路徑準(zhǔn)確的時(shí)序信息,在完成靜態(tài)時(shí)序分析無(wú)時(shí)序違反的前提下,基于關(guān)鍵路徑的時(shí)序報(bào)告分析,通過(guò)編寫(xiě)Verilog搭建了一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。最后,基于該測(cè)試平臺(tái),分別編寫(xiě)三種操作的Pattern進(jìn)行動(dòng)態(tài)仿真,通過(guò)抓取經(jīng)過(guò)關(guān)鍵路徑,以及數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)與報(bào)告一致的數(shù)據(jù)作為L(zhǎng)PDDR4-SDRAM的輸入數(shù)據(jù),從而分別得到讀寫(xiě)以及掩蔽寫(xiě)操作的數(shù)據(jù)信息。測(cè)試結(jié)果表明:本文設(shè)計(jì)優(yōu)化的ECC模塊實(shí)現(xiàn)了對(duì)128比特?cái)?shù)據(jù)進(jìn)行1比特錯(cuò)誤碼的糾正,可以通過(guò)對(duì)算法的優(yōu)化達(dá)到對(duì)多位錯(cuò)誤碼的糾正。寫(xiě)入操作測(cè)試結(jié)果表明:(1)數(shù)據(jù)在編碼電路中的傳播時(shí)間為957ps;(2)建立時(shí)間為404ps;均滿足達(dá)到了小于1ns的設(shè)計(jì)要求。掩蔽寫(xiě)操作測(cè)試結(jié)果表明:(1)關(guān)鍵路徑中數(shù)據(jù)在編碼電路中的傳播時(shí)間為849ps;(2)內(nèi)部讀操作時(shí)鎖存器傳輸數(shù)據(jù)的建立時(shí)間為842ps;(3)內(nèi)部寫(xiě)操作時(shí)鎖存器傳輸數(shù)據(jù)的建立時(shí)間為494ps;均滿足達(dá)到了小于1ns的設(shè)計(jì)要求。讀取操作測(cè)試結(jié)果表明:(1)經(jīng)過(guò)編碼電路的讀取時(shí)間為936ps;(2)鎖存器傳輸校驗(yàn)碼的建立時(shí)間為415ps;(3)三態(tài)門(mén)傳輸數(shù)據(jù)的時(shí)間為398ps;均滿足達(dá)到了小于1ns的設(shè)計(jì)要求。
【圖文】:

全定制,設(shè)計(jì)流程,版圖設(shè)計(jì),連接關(guān)系


全定制設(shè)計(jì)流程

流程圖,全定制,靜態(tài)時(shí)序分析,流程


全定制靜態(tài)時(shí)序分析流程
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TP333;TN702

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