基于高層LISA功耗模型的RISC處理器熱量分析與仿真方法
【圖文】:
為一個(gè)電路系統(tǒng).其中熱傳導(dǎo)體可以等價(jià)為一個(gè)熱電阻,流過(guò)該介質(zhì)的熱量類似于通過(guò)該段熱電阻的電流,該介質(zhì)兩端的溫度差近似于該段熱電阻兩端的電壓;熱量傳導(dǎo)系統(tǒng)同時(shí)具有吸收熱量的能力,稱之為熱電容,類似于電路中的電容,熱量吸收過(guò)程類似于電路電容充電儲(chǔ)存電荷的過(guò)程.HotSpot熱量計(jì)算模型即建立在這個(gè)等價(jià)關(guān)系之上,它是一種參數(shù)化的,可配置的數(shù)學(xué)模型,能夠得出詳細(xì)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)溫度信息.圖1系統(tǒng)總體設(shè)計(jì)流程圖現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的封裝均是層次化的,傳統(tǒng)單芯片的典型封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示.集成電路芯片(ICdie)放置在由諸如銅、鋁等高傳熱性的材料制作而成的散熱器板(heatspreader)上.散熱器板放置在由銅或鋁制作而成的熱沉(heatsink)上,產(chǎn)生的熱量由風(fēng)扇帶走.HotSpot即是基于單芯片封裝的典型結(jié)構(gòu)[9],集成電路芯片產(chǎn)生的熱量主要從硅體傳輸?shù)缴崞蜔岢粒罱K進(jìn)入周邊環(huán)境.圖2傳統(tǒng)倒芯片C4封裝結(jié)構(gòu)圖芯片及其熱封裝的物理結(jié)構(gòu)的等效電路如圖3所示.等效的RC電路包括三個(gè)垂直的傳導(dǎo)層,從硅體芯片到散熱片再到熱沉.同時(shí)還存在著從熱沉到周?chē)諝獾拇怪睂?duì)流層.為方便計(jì)算,HotSpot將整個(gè)封裝芯片分成不同的功能塊.集成電路芯片層根據(jù)感興趣的微體系結(jié)構(gòu)塊及其floorplan信息分成不同的結(jié)構(gòu)塊.為簡(jiǎn)單起見(jiàn),圖中的集成電路芯片層只分為3個(gè)結(jié)構(gòu)塊,而在實(shí)際情況中,會(huì)被分為10到20個(gè)甚至更多的結(jié)構(gòu)塊.散熱器片被分為5個(gè)模塊:一塊正對(duì)于硅體芯片下方的面積(Rsp),未被芯片覆蓋的面積被分為四個(gè)梯形
第8期岳丹,等:基于高層LISA功耗模型的RISC處理器熱量分析與仿真方法被分為5個(gè)模塊:正對(duì)于散熱器片下方的面積(Rhs)和周邊的四個(gè)梯形區(qū)域.最終,從封裝到空氣層的熱量對(duì)流傳輸通過(guò)一個(gè)單一熱電阻(Rconvection)得到體現(xiàn).圖3等效RC模型架構(gòu)圖3.2RC電路參數(shù)推算在每個(gè)層次中的結(jié)構(gòu)塊或者網(wǎng)格,都具有垂直方向上的熱電阻,,連接著相鄰的層次;也具有側(cè)向的電阻,連接著同一層次上的相鄰單元.垂直方向上的熱模型描述的是層間的熱量傳遞關(guān)系,熱量從硅體芯片通過(guò)散熱器片、熱沉最終進(jìn)入空氣層.橫向模型主要描述同一層間相鄰模塊的熱量傳遞.垂直方向上的熱電阻可由Rvertical=t(k·A)(1)計(jì)算獲得.t是所在層次的厚度,k是所在層次材料的熱傳導(dǎo)率,A是單元的截面積.每個(gè)單元等效的接地?zé)犭娙轂椋茫簦瑁溅?#183;Cp·A·ρ·t(2)式中,t和A同電阻公式中的含義一樣,Cp和ρ分別對(duì)應(yīng)于特定材料的熱容和密度,影響因子α取0.5.從熱沉到空氣中的熱電阻可以用模型Rconvection=1(h·A)(3)計(jì)算得到.式中,A是表面積,h是具有邊界條件依賴特性的熱傳輸系數(shù),與材料有關(guān).上述所有熱電阻、熱電容計(jì)算公式的詳細(xì)推導(dǎo)和論證可以參考文獻(xiàn)[10-11].HotSpot工具中的hotspot.config文件定義了各種熱模型參數(shù).如芯片的規(guī)格參數(shù),散熱器及熱沉的規(guī)格參數(shù),界面材料規(guī)格參數(shù),芯片的floorplan參數(shù)以及HotSpot工具被調(diào)
【共引文獻(xiàn)】
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【相似文獻(xiàn)】
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