【摘要】：利用3DTCAD仿真,在45nm體硅工藝下,對5管SRAM單元和傳統(tǒng)6管SRAM單元的抗輻射性能進(jìn)行了對比研究。結(jié)果表明,5管SRAM單元的敏感面積更小,由該單元構(gòu)成的SRAM陣列更難發(fā)生多位翻轉(zhuǎn)。提出了一種帶額外保護(hù)環(huán)的5管SRAM單元抗輻射加固策略,這種加固策略沒有面積開銷,模擬結(jié)果證實(shí)了該加固策略的有效性。
【作者單位】： 國防科技大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61376109)
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2544116