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一種具有高存儲容量的交互式憶阻交叉陣列(英文)

發(fā)布時間:2019-09-23 13:34
【摘要】:基于憶阻的存儲陣列有望取代現(xiàn)有的計算機(jī)存儲系統(tǒng),但其漏電流及路徑問題仍然會對存儲容量與效率產(chǎn)生較大影響。漏電流問題的嚴(yán)重性會隨著存儲陣列容量的增大而愈發(fā)明顯;陣列規(guī)模越大,漏電流路徑也隨之增多;诙䴓O管的單向?qū)ㄐ院妥赃m應(yīng)讀操作方法,提出一種具有高存儲容量的交互式憶阻交叉陣列。實驗仿真結(jié)果表明,該陣列結(jié)構(gòu)在減少控制納米線的同時,能夠增大陣列的存儲容量;并能有效解決漏電流問題。
【作者單位】: 中南民族大學(xué)計算機(jī)科學(xué)學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(61503418) 中央高校基本科研業(yè)務(wù)經(jīng)費(CZY15008)資助
【分類號】:TP333

【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號:2540325

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