基于單片機(jī)的門磁報(bào)警電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)
【圖文】:
A1、A2(圖中未顯示)相連,定義A1為GPIO_Mode_Out_PP(普通推挽輸出)、A2為GPIO_Mode_IPU(上拉輸入模式),并調(diào)用GPIO_ResetBits函數(shù)使A2復(fù)位為低電平。正常情況下,門磁兩部分是靠在一起的,MC線與地接通。A1為零電壓,當(dāng)門磁兩部分分離時(shí)即報(bào)警狀態(tài),A1回到初始的高電平,以此為條件,通過單片機(jī)編程使A2為高電平,YSQ上升為高電平,使報(bào)警電路導(dǎo)通報(bào)警。門磁報(bào)警電路示意圖如圖2所示,MC的電平狀態(tài)使單片機(jī)控制了YSQ的電平狀態(tài),從而進(jìn)一步?jīng)Q定了報(bào)警電路的工作狀態(tài)。圖1門磁報(bào)警電路圖及示意圖3報(bào)警電路系統(tǒng)搭建報(bào)警電路系統(tǒng)是門磁報(bào)警的核心部分。其設(shè)計(jì)方案決定了整個(gè)電路的靈敏性。此處利用Multisim仿真軟件進(jìn)行基于繼電器的報(bào)警系統(tǒng)1和基于與非門報(bào)警電路2的搭建。3.1基于繼電器的報(bào)警系統(tǒng)1的搭建對于報(bào)警系統(tǒng)如圖2而言,輸入信號是單片機(jī)端口上的高低電平,低電平為0V,高電平為3.3V。利用XFG1作為方波信號發(fā)生器模擬單片機(jī)的I/O口的觸發(fā)信號,產(chǎn)生幅值為3.3V的方波電平,占空比為50%,頻率f為10Hz;三極管為3904封裝的硅管NPN,BE結(jié)門坎電壓為0.5V導(dǎo)通;U1為紅光二極管,壓降為1.82~1.88V,電流5~8mA,在這里設(shè)置U1電壓降VU1為1.85V,導(dǎo)通電流Ion為5mA。電阻R2的阻值為:R=VDD-VU1Ion(1)則按照式(1),,電阻R
第39卷電子測量技術(shù)比較電路1與電路2的瞬態(tài)分析的波形。此次分析方法是希望發(fā)現(xiàn)兩個(gè)電路系統(tǒng)在上升沿觸發(fā)的狀態(tài)下,整個(gè)電路尤其是三極管Q1與蜂鳴器U2處的電平狀態(tài)是否保持一致,若有延遲,是否能夠保證報(bào)警的及時(shí)性。4.1基于與非門的報(bào)警系統(tǒng)1的分析在電路1發(fā)生報(bào)警時(shí),發(fā)光二極管U1發(fā)紅光,繼電器K1閉合及XSC1與XSC2的波形顯示,如圖3所示。從圖中可以看出,線路3與線路5高低電平保持一致,即輸入高電平,蜂鳴器導(dǎo)通報(bào)警。圖3電路1報(bào)警時(shí)XSC1與XSC2的顯示如圖4所示,此次分析選擇在200ms處輸入電平為上升沿的時(shí)間點(diǎn),并觀察了在1ms的時(shí)間間隔內(nèi),可以觀察發(fā)現(xiàn)V(1)、V(2)、V(3)和V(4)是同步的,V(5)有一些滯后,表明了整個(gè)電路在輸入高電平之際,除了繼電器處有個(gè)電平上升時(shí)間延遲外,幾乎同時(shí)一起響應(yīng)。整個(gè)報(bào)警電路系統(tǒng)的響應(yīng)延遲低于1ms。圖47200ms時(shí)上升沿電路1瞬態(tài)分析4.2基于與非門的報(bào)警系統(tǒng)2的分析如圖5所示為電路2的報(bào)警狀態(tài),原理與電路1的相仿,發(fā)光二極管U1發(fā)紅光,XSC1與XSC2的波形顯示如圖所示。VDD為10V的電平與低電平經(jīng)過U2A與非邏輯運(yùn)算后為5V的高電平。從圖中可以看出,線路1與線路5高低電平保持一致,即輸入高電平時(shí),蜂鳴器導(dǎo)通報(bào)警。圖5電路2報(bào)警時(shí)XSC3與XSC4的顯示圖7200ms時(shí)上升沿電路1瞬態(tài)分析如圖6的瞬態(tài)仿真圖形,此次分析選擇了
【作者單位】: 上海理工大學(xué)光電信息與計(jì)算機(jī)工程學(xué)院;
【基金】:上海市青年教師培養(yǎng)資助計(jì)劃
【分類號】:TP277;TP368.1
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