【摘要】：存儲(chǔ)單元的加固是SRAM加固設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。經(jīng)典DICE單元可以在靜態(tài)情況下有效地抗單粒子翻轉(zhuǎn),但是動(dòng)態(tài)情況下抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力較差。提出了分離位線的DICE結(jié)構(gòu),使存儲(chǔ)單元在讀寫狀態(tài)下具有一定的抗單粒子效應(yīng)能力。同時(shí),對(duì)外圍電路中的鎖存器采用雙模冗余的方法,解決鎖存器發(fā)生SEU的問題。該設(shè)計(jì)對(duì)SRAM進(jìn)行了多方位的加固,具有很強(qiáng)的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所;
【分類號(hào)】：TP333
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本文編號(hào)：2533524