【摘要】：首先介紹了硅納米晶粒的制備工藝以及硅納米晶存儲(chǔ)器件的基本特性。接著重點(diǎn)探討了硅納米晶存儲(chǔ)器耐久性退化的物理機(jī)制,發(fā)現(xiàn)應(yīng)力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。隨后,同時(shí)采用多種分析手段,如電荷泵法和CV曲線分析法對(duì)界面陷阱的退化機(jī)理進(jìn)行了更深入細(xì)致的研究。從界面陷阱在禁帶中的能級(jí)分布中發(fā)現(xiàn),相較于未施加應(yīng)力時(shí)界面陷阱的雙峰分布,施加應(yīng)力后產(chǎn)生了新的Pb1中心的雙峰。最后,分別從降低擦寫電壓和對(duì)載流子預(yù)熱的角度提出了三種新的編程方法,有效提高了硅納米晶存儲(chǔ)器件的耐受性。
【作者單位】： 成都信息工程學(xué)院通信工程學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973計(jì)劃)資助項(xiàng)目(2010CB934200,2011CBA00600) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61176073,61221004,61306107) 中國(guó)博士后科學(xué)基金面上資助項(xiàng)目(2014M550866) 成都信息工程學(xué)院科研基金資助項(xiàng)目(KYTZ201318)
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2533051