靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器雙向互鎖存儲(chǔ)單元的抗老化設(shè)計(jì)
[Abstract]:In order to prolong the service time of (DICE) circuit in bidirectional interlocked memory cell of radiation-resistant static random access memory (RAM), the specific effect of bias temperature instability effect (BTI) aging effect on the performance of DICE cell is obtained, and an anti-aging design scheme is proposed. Through SPICE simulation experiment, the aging characteristics of DICE unit are analyzed. It is found that the reading interference and semi-selective interference due to aging are the main reasons that affect the stability and life of SRAM unit of DICE structure. According to the characteristics of radiation resistant structure of DICE unit, a new read and write port structure of DICE unit is proposed. By adding additional control transistors between the four transistors that make up the read-write port, the path of the memory node connection in DICE cell is blocked, the influence of read interference and semi-selection interference is eliminated, and the reading fault and semi-selection fault of the unit are avoided. The radiation resistance of the improved DICE unit in read state and semi-selected state is improved compared with that before improvement. The functional correctness and anti-aging effectiveness of the improved DICE unit are verified by simulation experiments, and the reading failure rate of the DICE unit after 108s aging is directly reduced.
【作者單位】: 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(61371025,61574052,61274036)
【分類號(hào)】:TP333
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,本文編號(hào):2525864
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