【摘要】：隨著大數(shù)據(jù)和多核技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)遠遠不能滿足大量數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用涌現(xiàn)所催生的內(nèi)存計算需求。近年來,新型非易失性存儲器(NVM)的興起與發(fā)展為打破傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)瓶頸提供了契機。相變存儲器(PCM)作為一種典型的新型非易失性存儲器(NVM),與傳統(tǒng)內(nèi)存DRAM各有優(yōu)勢,被認為是最有可能代替?zhèn)鹘y(tǒng)內(nèi)存DRAM的存儲器,在內(nèi)存應(yīng)用中具有很好的發(fā)展前景�；贒RAM和PCM的混合內(nèi)存使得同時發(fā)揮DRAM與PCM各自的優(yōu)勢成為可能,故提出一種DRAM與PCM混合內(nèi)存架構(gòu),設(shè)計針對混合內(nèi)存布局的高效讀寫策略及數(shù)據(jù)遷移機制,并且在混合內(nèi)存系統(tǒng)中應(yīng)用糾刪碼來提高系統(tǒng)的可靠性。實驗表明,此混合內(nèi)存系統(tǒng)能夠大大減少能耗,提高數(shù)據(jù)吞吐量,同時保證讀寫的可靠性。
[Abstract]:With the development of big data and multicore technology, the development of traditional memory technology is far from meeting the memory computing requirements caused by the emergence of a large number of data-intensive applications. In recent years, the rise and development of new non-volatile memory (NVM) provides an opportunity to break the bottleneck of traditional memory technology. Phase change memory (PCM), as a typical new type of non-volatile memory (NVM), and traditional memory DRAM, has its own advantages. It is considered to be the most likely memory to replace traditional memory DRAM, and has a good development prospect in memory applications. The hybrid memory based on DRAM and PCM makes it possible to give full play to the advantages of DRAM and PCM at the same time. Therefore, a hybrid memory architecture of DRAM and PCM is proposed, which designs an efficient reading and writing strategy and data migration mechanism for hybrid memory layout, and applies erasure code in hybrid memory system to improve the reliability of the system. The experimental results show that the hybrid memory system can greatly reduce energy consumption, improve data throughput and ensure the reliability of reading and writing.
【作者單位】： 中國人民解放軍理工大學指揮信息系統(tǒng)學院;
【基金】：國家自然科學基金項目(61402518)資助
【分類號】：TP333

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本文編號：2525786