【摘要】：阻變存儲器具有結(jié)構(gòu)簡單、速度快、存儲密度高、易于三維集成等諸多優(yōu)點,是下一代存儲器的重要候選之一。文章詳細(xì)介紹了阻變存儲器的工作原理、電阻轉(zhuǎn)變的物理機(jī)制、電阻轉(zhuǎn)變過程中的物理效應(yīng)以及阻變存儲器的集成和產(chǎn)業(yè)化前景。
[Abstract]:With the advantages of simple structure, high speed, high storage density and easy three-dimensional integration, resistance-variable memory is one of the important candidates for next-generation memory. In this paper, the working principle of resistive memory, the physical mechanism of resistive transition, the physical effect in the process of resistive transformation and the prospect of integration and industrialization of resistive variable memory are introduced in detail.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);江蘇先進(jìn)生物與化學(xué)制造協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61521064,61322408,61422407,61522408,61574169,61334007,61474136,61574166,61376112) 國家重點研發(fā)計劃(批準(zhǔn)號:2016YFA0201803,2016YFA0203800,2017YFB0405603)資助項目 科技北京百名領(lǐng)軍人才培養(yǎng)工程項目(批準(zhǔn)號:Z151100000315008) 北京市科技計劃課題(批準(zhǔn)號:Z17110300200000) 中國科學(xué)院前沿科學(xué)重點研究項目(批準(zhǔn)號:QYZDY-SSW-JSC001,QYZDB-SSW-JSC048);中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室課題基金資助項目
【分類號】：TP333

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

1 趙小娟;65nm NOR型閃存芯片RTS噪聲研究[D];鄭州大學(xué);2017年

，

本文編號：2444497