【摘要】：阻變存儲(chǔ)器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、速度快、存儲(chǔ)密度高、易于三維集成等諸多優(yōu)點(diǎn),是下一代存儲(chǔ)器的重要候選之一。文章詳細(xì)介紹了阻變存儲(chǔ)器的工作原理、電阻轉(zhuǎn)變的物理機(jī)制、電阻轉(zhuǎn)變過程中的物理效應(yīng)以及阻變存儲(chǔ)器的集成和產(chǎn)業(yè)化前景。
[Abstract]:With the advantages of simple structure, high speed, high storage density and easy three-dimensional integration, resistance-variable memory is one of the important candidates for next-generation memory. In this paper, the working principle of resistive memory, the physical mechanism of resistive transition, the physical effect in the process of resistive transformation and the prospect of integration and industrialization of resistive variable memory are introduced in detail.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);江蘇先進(jìn)生物與化學(xué)制造協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61521064,61322408,61422407,61522408,61574169,61334007,61474136,61574166,61376112) 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2016YFA0201803,2016YFA0203800,2017YFB0405603)資助項(xiàng)目 科技北京百名領(lǐng)軍人才培養(yǎng)工程項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):Z151100000315008) 北京市科技計(jì)劃課題(批準(zhǔn)號(hào):Z17110300200000) 中國(guó)科學(xué)院前沿科學(xué)重點(diǎn)研究項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):QYZDY-SSW-JSC001,QYZDB-SSW-JSC048);中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室課題基金資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2444497