發(fā)布時(shí)間：2019-01-06 16:25

【摘要】：對(duì)CuxSiyO結(jié)構(gòu)的阻變存儲(chǔ)器(RRAM)進(jìn)行了總劑量(TID)以及單粒子輻照(SEE)實(shí)驗(yàn)�？倓┝繉�(shí)驗(yàn)中,1T1R樣品分別接受總劑量為1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射線輻射。樣品中沒有出現(xiàn)低阻在輻照后翻轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。單粒子輻照實(shí)驗(yàn)中,16 kbit RRAM陣列樣品分別接受線性能量轉(zhuǎn)移(LET)值最高達(dá)75 Me V的4種離子束的輻射。樣品中沒有出現(xiàn)低阻在輻照后翻轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。除一組無翻轉(zhuǎn)外,存儲(chǔ)單元的高阻到低阻的翻轉(zhuǎn)率皆在0.06%左右。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)了RRAM中已經(jīng)形成的導(dǎo)電通道不會(huì)受輻照影響,因此不存在低阻翻轉(zhuǎn)為高阻的現(xiàn)象。
[Abstract]:The total dose (TID) and single particle irradiation (SEE) experiments were carried out on the (RRAM) of the resistive memory with CuxSiyO structure. In the total dose experiment, 1T1R samples were exposed to 60Co 緯 -rays with a total dose of 1 k Gy (Si 2 and 3 k Gy (Si O 2, respectively. There is no phenomenon of low resistance flipping after irradiation in the sample. In the single particle irradiation experiment, 16 kbit RRAM array samples were irradiated by four ion beams with linear energy transfer (LET) up to 75 Me V. There is no phenomenon of low resistance flipping after irradiation in the sample. With the exception of one group, the turnover rate of memory cells with high to low resistance is about 0.06%. The experimental results show that the conductive channel formed in RRAM is not affected by irradiation, so there is no phenomenon of low resistance turning over to high resistance.
【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2403035