【摘要】：對CuxSiyO結構的阻變存儲器(RRAM)進行了總劑量(TID)以及單粒子輻照(SEE)實驗�？倓┝繉嶒炛�,1T1R樣品分別接受總劑量為1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射線輻射。樣品中沒有出現低阻在輻照后翻轉的現象。單粒子輻照實驗中,16 kbit RRAM陣列樣品分別接受線性能量轉移(LET)值最高達75 Me V的4種離子束的輻射。樣品中沒有出現低阻在輻照后翻轉的現象。除一組無翻轉外,存儲單元的高阻到低阻的翻轉率皆在0.06%左右。實驗結果證實了RRAM中已經形成的導電通道不會受輻照影響,因此不存在低阻翻轉為高阻的現象。
[Abstract]:The total dose (TID) and single particle irradiation (SEE) experiments were carried out on the (RRAM) of the resistive memory with CuxSiyO structure. In the total dose experiment, 1T1R samples were exposed to 60Co 緯 -rays with a total dose of 1 k Gy (Si 2 and 3 k Gy (Si O 2, respectively. There is no phenomenon of low resistance flipping after irradiation in the sample. In the single particle irradiation experiment, 16 kbit RRAM array samples were irradiated by four ion beams with linear energy transfer (LET) up to 75 Me V. There is no phenomenon of low resistance flipping after irradiation in the sample. With the exception of one group, the turnover rate of memory cells with high to low resistance is about 0.06%. The experimental results show that the conductive channel formed in RRAM is not affected by irradiation, so there is no phenomenon of low resistance turning over to high resistance.
【作者單位】： 復旦大學專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室;
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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