【摘要】：相變存儲(chǔ)器(PCRAM)因其具有非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、與現(xiàn)有CMOS工藝相匹配等優(yōu)點(diǎn),在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域受到了廣泛重視。綜述了相變存儲(chǔ)器器件小型化的研究現(xiàn)狀,介紹了相變存儲(chǔ)器的基本原理和特性。概述了目前相變存儲(chǔ)器器件小型化的方法,主要包括器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化和材料優(yōu)化。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化的主要目的是減小有效相變體積以降低單元尺寸。材料優(yōu)化主要是針對(duì)電極材料,選用性能優(yōu)異的新材料替代傳統(tǒng)金屬材料作電極材料以實(shí)現(xiàn)器件小型化。對(duì)不同方法制作的各種器件結(jié)構(gòu)所涉及的工藝特點(diǎn)進(jìn)行了分析,并且比較了不同的器件結(jié)構(gòu)對(duì)操作電流的影響,為相變存儲(chǔ)器器件小型化的進(jìn)一步發(fā)展提供了參考。
[Abstract]:Phase change memory (PCRAM) has been paid more and more attention in the field of storage technology because of its advantages of non-volatility, long cycle life, simple structure and matching with existing CMOS process. The research status of phase change memory miniaturization is reviewed, and the basic principle and characteristics of phase change memory are introduced. The miniaturization methods of phase change memory devices are summarized, including device structure optimization and material optimization. The main purpose of the device structure optimization is to reduce the effective phase change volume and reduce the unit size. Material optimization is mainly aimed at electrode materials. New materials with excellent performance are used as electrode materials instead of traditional metal materials in order to realize miniaturization of devices. The process characteristics of various device structures made by different methods are analyzed, and the effects of different device structures on the operating current are compared, which provides a reference for the further development of the miniaturization of phase-change memory devices.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金面上資助項(xiàng)目(61376420)
【分類號(hào)】：TP333

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7 王e，

本文編號(hào)：2401886