【摘要】：提出了一種浮柵型快閃存儲器(flash memory)閾值電壓分布讀取方法。其讀出電路結(jié)構(gòu)主要包括電容反饋互導放大器(capacitor feedback trans-impedance amplifier,CTIA)和8b循環(huán)型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(cyclic analog-to-digital converter),以上電路將存儲單元的閾值電壓進行數(shù)字量化輸出。此外芯片還集成了譯碼電路、高壓電路、偏置電路和控制電路等輔助電路。上述設計采用0.13μm 2P3M NOR快閃存儲器工藝,芯片面積為2.1mm×2.8mm,其中存儲陣列包含1 024×1 024個存儲單元。測試結(jié)果表明該讀取電路能夠精確地讀取快閃存儲器的閾值電壓分布,可以用來進行存儲陣列器件和工藝的離散性等特性研究,也可以用于編程/擦除算法的優(yōu)化設計。
[Abstract]:This paper presents a method for reading the threshold voltage distribution of floating gate flash memory (flash memory). The readout circuit consists of capacitive feedback Interconductance Amplifier (capacitor feedback trans-impedance amplifier,CTIA) and 8b cyclic analog-to-digital converter (cyclic analog-to-digital converter),) which outputs the threshold voltage of the memory cell digitally. In addition, the chip also integrates decoding circuit, high voltage circuit, bias circuit and control circuit. The design uses 0.13 渭 m 2P3M NOR flash memory technology. The chip area is 2.1mm 脳 2.8 mm. The memory array contains 1 024 脳 10 24 memory cells. The test results show that the circuit can accurately read the threshold voltage distribution of flash memory, can be used to study the discrete characteristics of memory array devices and processes, and can also be used in the optimization design of programming / erasure algorithm.
【作者單位】： 清華大學微電子學研究所;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61106102)
【分類號】：TP333

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本文編號：2374514