【摘要】：通過研究鐵電存儲器、磁性隨機存儲器、相變存儲器和阻變存儲器4種新型非易失性存儲器的抗輻射能力,總結(jié)了每種非易失性存儲器的總劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)。針對總劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)進行了對比與分析,得到了目前的新型非易失性存儲器的抗輻射能力仍然取決于存儲單元以外的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)外圍電路的抗輻射能力。該結(jié)論為抗輻射非易失性存儲器的研究提供了參考。
[Abstract]:The total dose effect and single particle effect of each kind of nonvolatile memory are summarized by studying the anti-radiation ability of four new types of nonvolatile memory such as ferroelectric memory magnetic random access memory phase change memory and resistive memory. The total dose effect and single particle effect are compared and analyzed. The anti-radiation ability of the new nonvolatile memory is still determined by the radiation resistance of the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) peripheral circuit outside the memory cell. This conclusion provides a reference for the study of anti-radiation non-volatile memory.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【分類號】：TP333

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本文編號：2367013