【摘要】：正基于電致阻變效應(yīng)的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)有望綜合動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)和閃存(FLASH)三大主流存儲(chǔ)器各自的存儲(chǔ)特性,集非易失性、非破壞性讀出、高存取速度、工藝和器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可嵌入功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)于一身,彌補(bǔ)現(xiàn)在DRAM、SRAM易失性和FLASH擦寫速度慢的缺點(diǎn),是下一代存儲(chǔ)器的候選者之一。
[Abstract]:The resistive random access memory (RRAM), which is based on the electrically induced resistance effect, is expected to integrate the storage characteristics of the three main streams of dynamic random access memory (DRAM), static random access memory (SRAM) and flash memory (FLASH). The advantages of non-destructive readout, high access speed, simple process and device structure, strong embeddable function and so on, make up for the shortcomings of DRAM,SRAM 's volatility and FLASH's slow writing speed, so it is one of the candidates for next generation memory.
【作者單位】： 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所;
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2352513