【摘要】：對0.15μm特征尺寸CMOS工藝商用靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)開展了中子輻照后的瞬時電離輻射效應實驗研究,獲得了中子輻照后SRAM器件的瞬時劑量率翻轉(zhuǎn)效應規(guī)律,并與未經(jīng)中子輻照SRAM器件的瞬時劑量率翻轉(zhuǎn)效應規(guī)律進行對比。結(jié)果表明:中子輻照能有效提高CMOS工藝SRAM器件的瞬時劑量率翻轉(zhuǎn)閾值,中子輻照引起的少數(shù)載流子的壽命降低是產(chǎn)生這種現(xiàn)象的主要原因。
[Abstract]:The instantaneous ionizing radiation effect of 0.15 渭 m characteristic size CMOS process commercial static random access memory (SRAM) was studied experimentally after neutron irradiation. The instantaneous dose rate reversal effect of SRAM device after neutron irradiation was obtained. The transient dose rate reversal effect of unirradiated SRAM devices is compared with that of non-neutron irradiated SRAM devices. The results show that neutron irradiation can effectively increase the instantaneous dose rate turnover threshold of SRAM devices in CMOS process. The decrease of lifetime of minority carriers caused by neutron irradiation is the main reason for this phenomenon.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應國家重點實驗室;
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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1 王桂珍;林東生;楊善潮;郭曉強;李瑞斌;白小燕;龔建成;;不同γ脈沖寬度下CMOS電路閂鎖閾值的數(shù)值模擬[J];微電子學;2009年05期

【二級參考文獻】

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1 宋欽岐;抗輻射電子學講座[J];質(zhì)量與可靠性;1990年01期

2 賈文寶，，蘇桐齡;半導體Si中稀土元素雜質(zhì)與中子輻照缺陷的互作用研究[J];核技術(shù);1996年06期

3 周荷秀,路金印,吳有臣,李銳;硅高壓整流器件的中子輻照效應研究[J];微電子學;1988年06期

4 劉健,王佩璇;中子輻照GaAs快速退火行為的低溫光熒光研究[J];發(fā)光學報;1998年01期

5 鐘秉福;RHX36等雙極型集成電路抗核加固的一些措施[J];微電子學;1988年06期

6 林昭(火回),張麗珠,陳昆,許惠英,張伯蕊,秦國剛,尹慶民;中子輻照高摻硅砷化鎵的光致發(fā)光研究[J];發(fā)光學報;1985年01期

7 王長河;黃忠升;趙麗華;周荷秀;李繼國;;雙極型晶體管中子輻照研究[J];微納電子技術(shù);1986年04期

8 袁壽財;IGBT 特性的中子輻照效應[J];電力電子技術(shù);1997年02期

9 劉桂榮,李懷祥,陳燕生,段淑貞;輕/重水堆中子輻照氫區(qū)熔硅退火特性的比較[J];稀有金屬;1998年04期

10 David聯(lián)邦M.Jobson-Scott,李志晨;減少加固的功率MOS FET中輻照引起擊穿的中子輻照方法[J];微電子學;1987年01期

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2 李曉光;肖克勤;董遠達;何恰貞;吳國安;;中子輻照對非晶CuTi系列合金內(nèi)耗行為的影響[A];內(nèi)耗與超聲衰減——第二次全國固體內(nèi)耗與超聲衰減學術(shù)會議論文集[C];1988年

3 程貴鈞;曹小華;楊本福;;中子輻照后~6Li-Al合金靶片中氚的測量[A];中國工程物理研究院科技年報（2002）[C];2002年

4 李卓昕;王丹妮;張?zhí)m芝;秦秀波;王寶義;;中子輻照TiAl合金缺陷特性及回復機理的正電子湮沒研究[A];第十屆中國核靶技術(shù)學術(shù)交流會摘要集[C];2009年

5 黃瑋;熊潔;高小鈴;;反應堆輻照后聚氨酯材料的性能和結(jié)構(gòu)變化[A];中國工程物理研究院科技年報(2008年版)[C];2009年

6 朱小鋒;趙洪超;葉燦;;三端穩(wěn)壓器中子輻射特性實驗研究[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術(shù)年會論文集[C];2009年

7 許增裕;;聚變堆材料中子輻照性能研究動態(tài)[A];中國核學會核材料分會2007年度學術(shù)交流會論文集[C];2007年

8 劉麗麗;馬巧云;陳貴鋒;楊帥;李養(yǎng)賢;;快中子輻照微氮直拉硅中氧沉淀的FTIR研究[A];華北地區(qū)硅酸鹽學會第八屆學術(shù)技術(shù)交流會論文集[C];2005年

9 賀朝會;陳曉華;王燕萍;姬琳;李國政;;FLASH ROM的14MeV中子輻照實驗研究[A];第9屆全國核電子學與核探測技術(shù)學術(shù)年會論文集[C];1998年

10 牛振紅;王永海;劉洪艷;崔帥;李志峰;張力;;基于DSP的計算機中子輻照效應研究[A];第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈沖學術(shù)年會論文集[C];2009年

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2 核科學與技術(shù)專業(yè)博士 劉志_";核電廠的輻射防護(上)[N];中國能源報;2010年

3 本報記者 陳欣然;半導體材料領(lǐng)域的探索者[N];天津教育報;2010年

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3 張?zhí)m芝;金屬間化合物點缺陷的正電子湮沒研究[D];中國科學院研究生院（高能物理研究所）;2007年

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6 徐剛;熱時效對RPV模擬鋼的微結(jié)構(gòu)與沖擊性能的影響[D];上海大學;2012年

7 尚也淳;SiC材料和器件特性及其輻照效應的研究[D];西安電子科技大學;2001年

8 李應輝;晶體管輸出型光電耦合器輻照及其噪聲研究[D];電子科技大學;2010年

9 張林;4H-SiC SBD與MESFET高能粒子輻照效應研究[D];西安電子科技大學;2009年

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3 王鵬飛;中子輻照6H-SiC晶體缺陷的XRD檢測[D];天津大學;2010年

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5 劉健;碳化硅和若干金屬氧化物輻照效應的研究[D];天津大學;2005年

6 張桂彬;FeCrCo和NdFeB永磁材料輻照效應研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2007年

7 承剛;金紅石的焰熔法生長及其輻照物性研究[D];四川大學;2003年

8 董碧云;摻鍺對直拉硅單晶材料及器件抗快中子輻照性能的影響[D];浙江大學;2013年

9 成杰;核恐怖襲擊受照人員血液活化中子生物劑量方法的建立[D];中國人民解放軍軍事醫(yī)學科學院;2011年

10 徐靜;光電耦合器件在空間輻射環(huán)境下的性能研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2013年

本文編號：2325503