發(fā)布時間：2018-11-05 09:19

【摘要】：基于密度泛理論的第一性原理以及VASP軟件,研究了電荷俘獲存儲器(CTM)中俘獲層HfO2在不同缺陷下(3價氧空位(VO3)、4價氧空位(VO4)、鉿空位(VHf)以及間隙摻雜氧原子(IO))對寫速度的影響.對比計算了HfO2在不同缺陷下對電荷的俘獲能、能帶偏移值以及電荷俘獲密度.計算結(jié)果表明:VO3,VO4與VHf為單性俘獲,IO則是雙性俘獲,HfO2在VHf時俘獲能最大,最有利于俘獲電荷;VHf時能帶偏移最小,電荷隧穿進入俘獲層最容易,即隧穿時間最短;同時對電荷俘獲密度進行對比,表明VHf對電荷的俘獲密度最大,即電荷被俘獲的概率最大.通過對CTM的寫操作分析以及計算結(jié)果可知,CTM俘獲層m-HfO2在VHf時的寫速度比其他缺陷時的寫速度快.本文的研究將為提高CTM操作速度提供理論指導.
[Abstract]:Based on the first principle of density universal theory and VASP software, the capture layer HfO2 in charge capture memory (CTM) is studied under different defects (3 valent oxygen vacancy (VO3), 4 valent oxygen vacancy (VO4). The influence of HF vacancy (VHf) and gap doped oxygen atom (IO) on writing speed. The charge capture energy, band offset and charge capture density of HfO2 under different defects are compared and calculated. The results show that VO3,VO4 and VHf are unisexual trapping, IO is bisexual trapping, HfO2 has the largest capture energy when VHf is the most favorable to capture charge, and VHf has the least energy band offset, and the tunneling is the easiest to enter the capture layer, that is, the tunneling time is the shortest. At the same time, the comparison of charge capture density shows that VHf has the largest charge capture density, that is, the maximum probability of charge capture. Through the analysis of the CTM writing operation and the calculation results, it can be seen that the writing speed of the CTM capture layer m-HfO2 is faster than that of the other defects in VHf. The research in this paper will provide theoretical guidance for improving the speed of CTM operation.
【作者單位】： 安徽大學電子信息工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61376106)資助的課題~~
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2311623