多值憶阻器的寫入方式研究
[Abstract]:It is a common method to realize multi-value storage by changing the limiting current in SET process or the voltage boundary in RESET process. For a certain method, there are many different writing methods. Aiming at the method of realizing multi-value in SET by changing the limiting current size, two different writing methods are proposed, which are called "first judge then write" and "erasure and then write". Testing the fabricated Au/TiO2/Au devices in two ways, it was found that the "first judge then write" method has more obvious resistive window and better than the "erasure and write" method because it reduces the number of RESET in the operation process. The homogeneity of the low resistance value of.
【作者單位】: 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院;高性能計(jì)算國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(國防科學(xué)技術(shù)大學(xué));
【基金】:國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61332003)
【分類號(hào)】:TP333
【相似文獻(xiàn)】
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5 許遐禎;尹pひ
本文編號(hào):2263334
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