DDR3 SDRAM控制器與PHY的設(shè)計(jì)與仿真
[Abstract]:With the development of semiconductor technology, the performance of processor and memory in computer system has been greatly improved. However, due to the difference between the processor and the memory design manufacturer, the development of the processor is out of sync. The performance of the processor is far greater than that of the memory. The problem of "memory wall" becomes very serious, and the memory access efficiency and bandwidth become very serious. The working frequency is difficult to meet the needs of modern processors, and the ability of processors is difficult to be fully developed, so the overall performance of computer systems is limited. Memory controller is a bridge between processor and memory, so it is very important to study an efficient memory controller. In this paper, the DDR3 SDRAM standard is deeply studied, and various timing parameters of DDR3 operation are analyzed. The concepts of page hit, page fast hit and page miss are explained, and the factors that affect the efficiency of DDR3 reading and writing, namely addressing conflict, are pointed out. Then, by adjusting the execution order of read and write commands and cross-executing different Bank commands, we improve the efficiency of reading and writing. PHY connects the controller and memory, and adjusts the delay of output DQS signals by DQS hard check. The write balance operation is completed, the DQS signal is detected by the DQS hard core, and the sampled DQS signal is shifted 90 degrees to be the sampling clock of the DQ signal, which is read and calibrated. In this paper, each module is designed and simulated by Verilog HDL language.
【學(xué)位授予單位】:山東大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TP333
【參考文獻(xiàn)】
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,本文編號:2263010
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