【摘要】：在新型非易失性存儲領(lǐng)域,結(jié)構(gòu)簡單、高速低耗的阻變存儲器具有巨大優(yōu)勢和很強(qiáng)的競爭力.簡要介紹了阻變存儲器的結(jié)構(gòu)及其兩個電阻轉(zhuǎn)變行為.總結(jié)了兩類阻變機(jī)理,探討了阻變存儲器性能優(yōu)化的方法,以及優(yōu)化方法在阻變性能與器件的可靠性和穩(wěn)定性之間如何取得平衡統(tǒng)一的問題,并展望了其前景.
[Abstract]:In the field of new non-volatile storage, the resistive memory with simple structure, high speed and low consumption has great advantages and strong competitiveness. The structure of resistive memory and its two resistance transition behaviors are briefly introduced. In this paper, two kinds of resistance mechanisms are summarized, and the methods of performance optimization of resistive memory are discussed, and the problem of how to achieve a balance between resistance performance and reliability and stability of devices is discussed, and its prospect is prospected.
【作者單位】： 西安建筑科技大學(xué)材料與礦資學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(No.51372193) 教育部基金(No.20126120120016) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項科研基金(No.20126120120018)
【分類號】：TP333

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本文編號：2242838