【摘要】：面向無(wú)源超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片設(shè)計(jì)了一種低成本的非易失存儲(chǔ)器(NVM)。采用PMOS晶體管實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元,制造工藝與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容,可以降低制造成本。提出了一種新型的操作模式,可減輕寫操作對(duì)柵氧的破壞。存儲(chǔ)器中的所有存儲(chǔ)單元共享一個(gè)靈敏放大器,數(shù)據(jù)通過共享的靈敏放大器依次串行讀出,這樣既節(jié)省了面積,又降低了讀操作的功耗�；�0.18μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)容量為1 kbit的存儲(chǔ)器芯片,該存儲(chǔ)器的核心面積為0.095 mm2,并完成了實(shí)測(cè)。實(shí)測(cè)結(jié)果表明,電源電壓為1.2 V,讀速率為1 Mb/s時(shí),功耗為1.08μW;寫速率為3.2 kb/s時(shí),功耗為44μW。
[Abstract]:A low cost non-volatile memory (NVM). Is designed for passive UHF RFID tag chip. The memory cell is realized by PMOS transistor. The manufacturing process is compatible with the standard CMOS process, and the manufacturing cost can be reduced. A new mode of operation is proposed, which can reduce the damage to gate oxygen caused by write operation. All the memory cells in the memory share a sensitive amplifier, and the data is read out serially through the shared sensitive amplifier, which not only saves the area but also reduces the power consumption of the read operation. Based on 0.18 渭 m standard CMOS process, a memory chip with a storage capacity of 1 kbit has been designed and implemented. The core area of the memory is 0.095 mm2, and the actual measurement has been completed. The measured results show that the power consumption is 1.08 渭 W when the power supply voltage is 1.2 V and the reading rate is 1 Mb/s, and the power consumption is 44 渭 W when the write rate is 3.2 kb/s.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院微電子研究所;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子研究發(fā)展中心;
【基金】：國(guó)家科技支撐計(jì)劃資助項(xiàng)目(2012BAH20B02) 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)資助項(xiàng)目(2012AA012301) 國(guó)家科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2012ZX03004007-002) 自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61306027)
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前4條

1 趙滌燹;閆娜;徐雯;楊立吾;王俊宇;閔昊;;適用于無(wú)源射頻標(biāo)簽的低功耗單柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2008年01期

2 王耀;文光俊;毛偉;何艷莉;朱學(xué)勇;;Design of a passive UHF RFID tag for the ISO18000-6C protocol[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2011年05期

3 馮鵬;章琦;吳南健;;A passive UHF RFID tag chip with a dual-resolution temperature sensor in a 0.18μm standard CMOS process[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2011年11期

4 賈曉云;馮鵬;張勝?gòu)V;吳南健;劉肅;;RFID中非易失存儲(chǔ)單元及靈敏放大電路的設(shè)計(jì)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2013年06期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前4條

1 沈勁鵬;王新安;劉珊;宗洪強(qiáng);黃錦鋒;楊欣;馮曉星;葛彬杰;;Design and implementation of an ultra-low power passive UHF RFID tag[J];Journal of Semiconductors;2012年11期

2 賈曉云;馮鵬;張勝?gòu)V;吳南健;劉肅;;RFID中非易失存儲(chǔ)單元及靈敏放大電路的設(shè)計(jì)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2013年06期

3 賈曉云;馮鵬;張勝?gòu)V;吳南健;趙柏秦;劉肅;;An ultra-low-power area-efficient non-volatile memory in a 0.18μm single-poly CMOS process for passive RFID tags[J];Journal of Semiconductors;2013年08期

4 戰(zhàn)金雷;謝生;管坤;毛陸虹;張世林;;集成溫度傳感器的無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽設(shè)計(jì)與驗(yàn)證[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2013年12期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 丁治國(guó);RFID關(guān)鍵技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)[D];中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

2 王耀;超高頻RFID標(biāo)簽芯片中低功耗模擬電路關(guān)鍵技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條

1 李聰;基于自主標(biāo)準(zhǔn)的超高頻電子標(biāo)簽芯片數(shù)字基帶的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

2 劉康;EEPROM IP關(guān)鍵模塊的優(yōu)化設(shè)計(jì)[D];西安電子科技大學(xué);2013年

3 劉佳欣;符合ISO 18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的射頻識(shí)別與溫度感知一體化標(biāo)簽芯片設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2013年

4 王薇;基于ISO 18000-6B協(xié)議集成溫度傳感器的標(biāo)簽芯片設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2013年

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 周盛華;吳南健;;CMOS超高頻整流器[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2007年09期

2 王耀;文光俊;毛偉;何艷莉;朱學(xué)勇;;Design of a passive UHF RFID tag for the ISO18000-6C protocol[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2011年05期

3 馮鵬;章琦;吳南健;;A passive UHF RFID tag chip with a dual-resolution temperature sensor in a 0.18μm standard CMOS process[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2011年11期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 韓益鋒;射頻識(shí)別閱讀器的研究與設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2005年

2 閆娜;低功耗低成本無(wú)源射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片的研究與設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2007年

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 ;富士通和愛普生宣布將聯(lián)合開發(fā)下一代FRAM非易失存儲(chǔ)器技術(shù)[J];計(jì)算機(jī)與網(wǎng)絡(luò);2005年14期

2 楊尊峰;曹金玲;;非易失存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)安全性研究[J];天津師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2006年02期

3 魯奇璞 ,魏豐;數(shù)模轉(zhuǎn)換器MAX5109的特性及應(yīng)用[J];電子世界;2005年09期

4 ;在非易失存儲(chǔ)器市場(chǎng)上處于領(lǐng)先地位的Atmel公司[J];電子產(chǎn)品世界;1997年07期

5 王瑩;未來(lái)的非易失存儲(chǔ)器(NVM)探索[J];電子產(chǎn)品世界;2004年15期

6 羅維根;非易失鐵電存儲(chǔ)器的進(jìn)展和若干問題[J];物理;1999年04期

7 楊尚勝;姚振東;;′C6000的片外Flash編程加載方法研究[J];成都信息工程學(xué)院學(xué)報(bào);2007年01期

8 吳康;高速安全微控制器發(fā)展與前景[J];今日電子;2004年10期

9 張培仁,黃竣;MCS51單片機(jī)的在系統(tǒng)編程技術(shù)及實(shí)現(xiàn)[J];微計(jì)算機(jī)信息;2000年01期

10 屈傳堂,徐平;基于鐵電體存儲(chǔ)器的門禁系統(tǒng)[J];金卡工程;2004年03期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 崔保健;;智能壓力表自動(dòng)校準(zhǔn)的實(shí)現(xiàn)[A];2001全國(guó)壓力計(jì)量測(cè)試技術(shù)年會(huì)論文集[C];2001年

2 李t，

本文編號(hào)：2230861