【摘要】：根據(jù)大容量同步雙端口SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)功能多、時(shí)序嚴(yán)格、存儲(chǔ)單元數(shù)目巨大的特點(diǎn),提出了一套用于功能復(fù)雜的大容量SRAM仿真驗(yàn)證的激勵(lì)生成和后仿真驗(yàn)證方法。該方法不僅克服了Hsim仿真激勵(lì)文件編寫耗時(shí)、不易修改的缺點(diǎn),而且解決了大容量雙端口SRAM后仿真速度緩慢、占用大量硬件資源的問題,在很大程度上縮短了設(shè)計(jì)周期,保證了投片成功。芯片采用中芯國際0.13μm CMOS工藝流片,實(shí)測(cè)結(jié)果驗(yàn)證了該仿真方法是準(zhǔn)確有效的。
[Abstract]:According to the characteristics of large capacity synchronous dual-port SRAM (static random access memory), which has many functions, strict timing and large number of memory cells, a set of excitation generation and post-simulation verification methods are proposed for the simulation verification of large capacity SRAM with complex functions. This method not only overcomes the disadvantages of time-consuming and difficult to modify the Hsim simulation excitation file, but also solves the problem of slow simulation speed and large amount of hardware resources after the large capacity dual-port SRAM, which greatly shortens the design cycle. Ensure the success of the cast. The chip adopts SMIC 0.13 渭 m CMOS process. The measured results show that the simulation method is accurate and effective.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第58研究所;
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2218901