【摘要】：對一種256 kb EEPROM電路AT28C256和一種256 kb SRAM電路HM62256開展了"強(qiáng)光一號"瞬時(shí)劑量率效應(yīng)實(shí)驗(yàn),測量了存儲器的閂鎖效應(yīng)、翻轉(zhuǎn)效應(yīng)等。HM62256的翻轉(zhuǎn)閾值為9.0×106 Gy(Si)/s,閂鎖閾值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的閂鎖閾值為2×107 Gy(Si)/s,存儲單元翻轉(zhuǎn)閾值高于3.0×108 Gy(Si)/s。對于SRAM,其翻轉(zhuǎn)閾值遠(yuǎn)低于閂鎖閾值;而對于EEPROM,在瞬時(shí)輻照下,閂鎖閾值遠(yuǎn)低于存儲單元的翻轉(zhuǎn)閾值�；趦煞N存儲器的數(shù)據(jù)存儲原理,分析了SRAM和EEPROM瞬時(shí)劑量率效應(yīng)差異的原因。
[Abstract]:In this paper, the instantaneous dose-rate experiment of "strong light 1" is carried out on a 256-kb EEPROM circuit AT28C256 and a 256-kb SRAM circuit HM62256, and the latch effect of the memory is measured. The flip threshold of HM62256 is 9.0 脳 10 ~ 6 Gy (Si) / s, the latch threshold is higher than 5.4 脳 10 ~ 7 Gy (Si) / s, the latch threshold of AT28C256 is 2 脳 10 ~ 7 Gy (Si) / s, and the memory cell turnover threshold is higher than 3.0 脳 10 ~ 8 Gy (Si) / s. For SRAM, the latch threshold is much lower than the latch threshold, and for EEPROM, under transient irradiation, the latch threshold is much lower than the memory cell flip threshold. Based on the data storage principle of two kinds of memory, the reason of the difference of instantaneous dose rate effect between SRAM and EEPROM is analyzed.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號】：TP333

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本文編號：2217918