【摘要】：近些年來(lái)，阻變式隨機(jī)存儲(chǔ)器被認(rèn)為是下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，從而引起了人們的廣泛關(guān)注。阻變式隨機(jī)存儲(chǔ)器因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，轉(zhuǎn)變速度快，低功耗，密度高,低成本等方面的特點(diǎn)備受關(guān)注。 NiO薄膜是一種P型半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于各種不同的領(lǐng)域，包括電致變色，傳感器，光電探測(cè)器，染料太陽(yáng)能電池等多個(gè)領(lǐng)域。同時(shí)，NiO是阻變式隨機(jī)存儲(chǔ)器研究材料中最重要的一種，它已經(jīng)成為了人們研究的熱點(diǎn)。 在本論文中，，我們利用脈沖激光沉積技術(shù)制備了NiO:Li薄膜，并研究了不同襯底溫度及氧氣分壓對(duì)薄膜的影響，并以此為依據(jù)，構(gòu)造了Pt/NiO:Li/Pt三層結(jié)構(gòu)的阻變式隨機(jī)存儲(chǔ)器。其研究?jī)?nèi)容如下：通過(guò)調(diào)節(jié)襯底溫度和氧氣分壓成功制備了NiO:Li薄膜；制備得到的存儲(chǔ)器件開(kāi)關(guān)電壓分別為2.4V和1.4V，開(kāi)關(guān)電阻分別為200K和15K，開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)變速度分別為200ns和1μs；其導(dǎo)電機(jī)制主要是SCLC導(dǎo)電類型，其電阻轉(zhuǎn)變機(jī)制符合導(dǎo)電通道模型。
[Abstract]:In recent years, resistive random access memory (RRAM) is regarded as the next generation of nonvolatile memory, which has attracted much attention. Resistive random access memory (RRAM) has attracted much attention because of its simple structure, fast transition speed, low power consumption, high density and low cost. NiO thin film is a kind of P-type semiconductor material, which is widely used in various fields. Including electrochromic, sensor, photodetector, dye solar cells and other fields. At the same time, nio is one of the most important materials in the research of resistive random access memory (RAM). In this thesis, we prepared NiO:Li thin films by pulsed laser deposition, and studied the effects of substrate temperature and oxygen partial pressure on the films. Based on this, we constructed the resistive random access memory (RAM) with Pt/NiO:Li/Pt three-layer structure. The research contents are as follows: NiO:Li thin films were successfully prepared by adjusting the substrate temperature and oxygen partial pressure, the switching voltage of the memory device was 2.4 V and 1.4 V, the switching resistance was 200K and 15K, and the switching speed was 200ns and 1 渭 s, respectively. The main conduction mechanism is SCLC, and its resistance transition mechanism is in accordance with the conductive channel model.
【學(xué)位授予單位】：東北師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2012
【分類號(hào)】：TP333;TN304.055

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本文編號(hào)：2202607