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MLC型NAND閃存中Polar碼的編譯碼研究

發(fā)布時(shí)間:2018-08-22 16:14
【摘要】:信道極化理論的提出表明在任意二進(jìn)制輸入離散無(wú)記憶信道下都可以構(gòu)造能夠達(dá)到容量限的碼字序列。根據(jù)這個(gè)理論,Arikan給出了Polar碼的構(gòu)造方法,并證明了它具有較低的編譯碼復(fù)雜度。Polar碼良好的性能開(kāi)辟了信道編碼技術(shù)的新方向。作為一種非易失性存儲(chǔ)器,閃存的存儲(chǔ)密度高,功耗低,因此已經(jīng)廣泛作為市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)設(shè)備。MLC型NAND閃存的每個(gè)單元可以存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù),降低了單位成本,使其更適用于大容量的存儲(chǔ)設(shè)備。但正因?yàn)樵黾恿藛卧獌?nèi)等級(jí)數(shù)量,使單元內(nèi)的閾值電壓分布更緊密,數(shù)據(jù)更容易出現(xiàn)錯(cuò)誤。糾錯(cuò)碼正是一種可以改善閃存可靠性、延長(zhǎng)閃存壽命的技術(shù)。本文對(duì)Polar碼的編譯碼方法及在MLC型NAND閃存中的差錯(cuò)控制方案進(jìn)行了研究,本文的主要工作概括如下:1.介紹閃存基礎(chǔ),概述MLC型NAND閃存單元的物理結(jié)構(gòu)及存儲(chǔ)原理,描述閃存的常見(jiàn)操作:擦除、編程和讀取。深入研究閃存的錯(cuò)誤模型,分析錯(cuò)誤成因,總結(jié)發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)保持錯(cuò)誤和編程干擾錯(cuò)誤是閃存中最常見(jiàn)的兩種錯(cuò)誤類型。2.詳細(xì)分析了信道極化現(xiàn)象,給出了AWGN、BEC與BSC信道下Polar碼的編碼方法和串行抵消譯碼算法的仿真實(shí)現(xiàn),仿真結(jié)果表明,Polar碼的碼長(zhǎng)越長(zhǎng),該譯碼算法的性能越好。3.分析了P/E循環(huán)下MLC型NAND閃存單元閾值電壓分布情況,利用硬感知和軟感知技術(shù)來(lái)讀取MLC,給出了NAND閃存中Polar碼的編譯碼算法仿真實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明,和硬感知技術(shù)相比,軟感知技術(shù)明顯改善了MLC的耐久度。
[Abstract]:The theory of channel polarization shows that code sequences that can reach capacity limit can be constructed under any binary input discrete memoryless channel. According to this theory, Arikan gives the construction method of Polar code, and proves that it has lower encoding and decode complexity. The good performance of Polar code opens up a new direction of channel coding technology. As a kind of non-volatile memory, flash memory has high storage density and low power consumption, so it has been widely used as the mainstream storage device. MLC type NAND flash memory can store two bits of data per unit cost. Make it more suitable for large capacity storage devices. However, because of the increase in the number of levels within the cell, the threshold voltage distribution in the cell is more compact, and the data is more prone to errors. Error correction code is a technology that can improve flash memory reliability and prolong flash memory life. In this paper, the encoding and decoding methods of Polar codes and the error control scheme in MLC type NAND flash memory are studied. The main work of this paper is summarized as follows: 1. This paper introduces the basic of flash memory, summarizes the physical structure and storage principle of MLC type NAND flash memory unit, and describes the common operation of flash memory: erasure, programming and reading. This paper studies the error model of flash memory, analyzes the causes of errors, and finds out that data retention errors and programming interference errors are the two most common types of errors in flash memory. The channel polarization phenomenon is analyzed in detail, and the coding method of Polar code and the simulation realization of serial cancellation decoding algorithm under AWGNBEC and BSC channel are given. The simulation results show that the longer the code length of the code is, the better the performance of the decoding algorithm is. 3. The distribution of threshold voltage of MLC type NAND flash memory cell under P / E cycle is analyzed. The hard sensing and soft sensing techniques are used to read MLC, and the simulation implementation of Polar code encoding and decoding algorithm in NAND flash memory is presented. Simulation results show that compared with hard sensing, soft sensing improves the durability of MLC significantly.
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TP333

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2197634

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