【摘要】：嵌入式存儲器易受到空間單粒子效應(yīng)(Single-Event Effects,SEE)的影響。該文提出了一種單粒子效應(yīng)失效率評估的方法,包含了單粒子翻轉(zhuǎn)和單粒子瞬態(tài)擾動等效應(yīng)對嵌入式存儲器不同電路單元的具體影響,可對不同存儲形式、不同容錯方法的嵌入式存儲器單粒子效應(yīng)失效率進行定量評估。該文提出的評估方法在中國科學(xué)院電子學(xué)研究所自主研制的嵌入式可編程存儲器試驗芯片上得到了驗證,地面單粒子模擬實驗表明該文方法預(yù)測的失效率評估結(jié)果與實驗測試結(jié)果的平均偏差約為10.5%。
[Abstract]:Embedded memory is vulnerable to Single-Event effects. In this paper, a method for evaluating the failure rate of single particle effect is proposed, which includes the effects of single particle flip and single particle transient disturbance on different circuit cells of embedded memory, and can be used in different storage forms. The failure rate of single particle effect in embedded memory with different fault-tolerant methods is evaluated quantitatively. The evaluation method proposed in this paper has been verified on the embedded programmable memory test chip developed by the Institute of Electronics of the Chinese Academy of Sciences. The surface single particle simulation experiment shows that the average deviation between the estimated failure rate and the experimental results is about 10.5.
【作者單位】： 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：中國科學(xué)院、國家外國專家局創(chuàng)新團隊國際合作伙伴計劃資助 國家科技重大專項(2013ZX03006004)資助課題
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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本文編號：2192950