電荷俘獲存儲器數(shù)據(jù)保持特性第一性原理研究
[Abstract]:In this paper, the effect of HfO2 doped Al substituted HF impurity and oxygen vacancy on the storage characteristics of charge-trapping memory is studied. As a high dielectric constant material, HFO _ 2 has the advantages of reducing the device size and improving the device performance. It is widely used in capture layer of CTM. The effect of Al doping in HfO2 trapping layer on the formation energy of oxygen vacancy was studied by MS and VASP. At the same time, the interaction energy of two defects at different distances is calculated. The results show that the formation energy of oxygen vacancy is decreased by adding Al into HfO2, and the formation energy of tri-coordinated oxygen vacancy is much lower than that of four-coordinated oxygen vacancy. By studying three cases of different distances between Al and tri-coordinated oxygen vacancies, the calculated results show that when the defect spacing is 2.107? The maximum charge capture energy, the largest number of quantum states and the longest Al-O bond are obtained. By studying the change of bond length after the three systems were written into the hole, it was concluded that the defect spacing was 2.107? The Al-O bond length of the system is minimum when the hole is written. The results show that the data retention ability of charge capture memory can be improved by adding Al. Therefore, the research in this paper provides some theoretical guidance for improving the data retention characteristics of charge capture memory.
【作者單位】: 安徽大學電子信息工程學院 安徽省集成電路設(shè)計重點實驗室;合肥師范學院電子信息工程學院;
【基金】:國家自然科學基金青年項目(批準號:21201052) 安徽省高校省級自然科學研究重點項目(批準號:KJ2014A208) 安徽高校自然科學研究重點項目(批準號:KJ2013A224) 安徽高校省級優(yōu)秀青年重點項目(批準號:2013SQRL065ZD)資助的課題~~
【分類號】:TP333
【共引文獻】
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