發(fā)布時(shí)間：2018-08-01 18:18

【摘要】：建立界面缺陷態(tài)密度隨時(shí)間變化的模型。對(duì)電荷俘獲存儲(chǔ)器在不同應(yīng)力條件下的可靠性進(jìn)行模擬,為正常工作情形下,電荷俘獲存儲(chǔ)器內(nèi)界面缺陷的生長機(jī)制以及不同應(yīng)力條件下器件性能的退化提供預(yù)測工具。
[Abstract]:A model of the variation of the density of states of interface defects with time is established. The reliability of charge capture memory under different stress conditions is simulated, which provides a prediction tool for the growth mechanism of interface defects in charge capture memory and the degradation of device performance under different stress conditions.
【作者單位】： 北京大學(xué)深圳研究生院;北京大學(xué)微電子學(xué)研究院;
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2158433