基于Flash的關(guān)鍵變量容錯存儲技術(shù)研究
本文選題:微處理器 + Flash ; 參考:《電子技術(shù)應(yīng)用》2014年11期
【摘要】:嵌入式系統(tǒng)中往往需要保存少量復(fù)位或掉電后依賴的關(guān)鍵變量,利用處理器片內(nèi)Flash存儲參數(shù)已經(jīng)成為常規(guī)選擇,但與常規(guī)Flash存儲器件相比,片內(nèi)Flash擦除次數(shù)更為有限,難以滿足系統(tǒng)生命周期要求。研究了如何延長微處理器片內(nèi)Flash使用壽命以及關(guān)鍵系統(tǒng)變量容錯存儲技術(shù),針對典型嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用,分析Flash擦寫管理機(jī)制,基于寫磨損均衡算法進(jìn)行改良,進(jìn)一步提升系統(tǒng)容錯能力。該技術(shù)在基于STM32單片機(jī)硬件平臺進(jìn)行了測試驗證。
[Abstract]:In embedded systems, a small number of key variables that are dependent on reset or power down are often kept. Using Flash memory parameters in processor chips has become a normal choice, but compared with conventional Flash memory devices, the number of in-chip Flash erasures is more limited. It is difficult to meet the requirement of system life cycle. This paper studies how to extend the service life of Flash in microprocessor chip and the key system variable tolerant storage technology. Aiming at the typical embedded system application, this paper analyzes the flash erasure management mechanism and improves it based on the write wear equalization algorithm. Further improve the fault tolerance of the system. The technology is tested and verified on the hardware platform of STM32 single chip computer.
【作者單位】: 解放軍信息工程大學(xué);清華大學(xué)計算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系;
【分類號】:TP368.1;TP333
【參考文獻(xiàn)】
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【共引文獻(xiàn)】
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【二級參考文獻(xiàn)】
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