CuO納米線阻變存儲(chǔ)器的組裝及電阻開(kāi)關(guān)特性
本文選題:氧化銅 + 阻變存儲(chǔ)器。 參考:《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2015年02期
【摘要】:用熱氧化法在空氣中加熱銅片制備了CuO納米線(CuO NWs),通過(guò)FESEM對(duì)納米線表面進(jìn)行了觀察,并用液體轉(zhuǎn)移法組裝成功了一種簡(jiǎn)單的阻變存儲(chǔ)器件。通過(guò)I-V測(cè)試系統(tǒng)觀察到了Cu/CuO NWs/Cu器件表現(xiàn)出了明顯的雙極型和單極型。最后通過(guò)對(duì)比高阻態(tài)(HRS)和低阻態(tài)(LRS)的表面形貌,解釋了Cu/CuO NWs/Cu器件的阻變機(jī)制。
[Abstract]:CuO nanowires CuO NWsO were prepared by heating copper in air by thermal oxidation method. The surface of nanowires was observed by FESEM. A simple resistive memory device was fabricated by liquid transfer method. Through the I-V measurement system, the Cu / CuO NWsr / Cu devices show obvious bipolar and monopole patterns. Finally, the resistance mechanism of Cu / CuO NWs / Cu devices is explained by comparing the surface morphology of high resistance HRS and low resistance LRS.
【作者單位】: 暨南大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院電子工程系;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11204105)
【分類號(hào)】:TP333
【共引文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):2039729
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