本文選題：多位翻轉(zhuǎn) + 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器　； 參考：《原子能科學(xué)技術(shù)》2017年05期

【摘要】：利用4種不同線性能量轉(zhuǎn)換值的重離子對(duì)一款65nm三阱CMOS靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)進(jìn)行重離子垂直輻照實(shí)驗(yàn),將多位翻轉(zhuǎn)圖形、位置和事件數(shù)與器件結(jié)構(gòu)布局結(jié)合對(duì)器件單粒子翻轉(zhuǎn)截面、單粒子事件截面及多位翻轉(zhuǎn)機(jī)理進(jìn)行深入分析。結(jié)果表明,單粒子事件截面大于單個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)敏感結(jié)點(diǎn)面積,單粒子翻轉(zhuǎn)截面遠(yuǎn)大于單個(gè)存儲(chǔ)單元面積。多位翻轉(zhuǎn)事件數(shù)和規(guī)模的顯著增長(zhǎng)導(dǎo)致單粒子翻轉(zhuǎn)截面遠(yuǎn)大于單粒子事件截面,多位翻轉(zhuǎn)成為SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)的主要來源。結(jié)合器件垂直阱隔離布局及橫向寄生雙極晶體管位置,分析得到多位翻轉(zhuǎn)主要由PMOS和NMOS晶體管的雙極效應(yīng)引起,且NMOS晶體管的雙極效應(yīng)是器件發(fā)生多位翻轉(zhuǎn)的主要原因。
[Abstract]:Four kinds of heavy ions with different linear energy conversion values are used to carry out heavy ion vertical irradiation experiments on a 65nm three-well CMOS static random access memory (SRAM). The position and the number of events are combined with the structure of the device to analyze the single event cross section, single particle event cross section and the mechanism of multiposition inversion. The results show that the single event cross section is larger than the area of the sensitive node in a single memory cell, and the single particle flip section is much larger than the area of a single memory cell. The significant increase in the number and scale of multi-bit flipping events leads to the fact that the single-particle flip cross section is much larger than the single-particle event cross section, and the multi-bit flip becomes the main source of SRAM single-particle flip. Combined with the vertical well isolation arrangement and the position of lateral parasitic bipolar transistor, it is found that the multibit flip is mainly caused by the bipolar effect of PMOS and NMOS transistors, and the bipolar effect of NMOS transistor is the main cause of multibit turnover.
【作者單位】： 中國(guó)原子能科學(xué)研究院核物理研究所;國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11475272)
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2036830