本文選題：蒙特卡羅 + 單粒子翻轉(zhuǎn)��； 參考：《物理學(xué)報(bào)》2014年19期

【摘要】：文章提出了一種基于蒙特卡洛和器件仿真的存儲器單粒子翻轉(zhuǎn)截面獲取方法,可以準(zhǔn)確計(jì)算存儲器單粒子效應(yīng),并定位單粒子翻轉(zhuǎn)的靈敏區(qū)域.基于該方法,計(jì)算了國產(chǎn)靜態(tài)存儲器和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)存儲區(qū)的單粒子效應(yīng)的截面數(shù)據(jù),仿真結(jié)果和重離子單粒子效應(yīng)試驗(yàn)結(jié)果符合較好.仿真計(jì)算揭示了器件單粒子翻轉(zhuǎn)敏感程度與器件n,p截止管區(qū)域面積相關(guān)的物理機(jī)理,并獲得了不同線性能量轉(zhuǎn)移(LET)值下單粒子翻轉(zhuǎn)靈敏區(qū)域分布.采用蒙特卡洛方法計(jì)算了具有相同LET、不同能量的離子徑跡分布,結(jié)果顯示高能離子的電離徑跡半徑遠(yuǎn)大于低能離子,而低能離子徑跡中心的能量密度卻要高約兩到三個(gè)數(shù)量級.隨著器件特征尺寸的減小,這種差別的影響將會越來越明顯,閾值LET和飽和截面將不能完全描述器件單粒子效應(yīng)結(jié)果.
[Abstract]:In this paper, a method based on Monte Carlo and device simulation is proposed to obtain the single particle flip cross section of the memory, which can accurately calculate the single particle effect of the memory and locate the sensitive region of the single particle flip. Based on this method, the cross section data of single particle effect in domestic static memory and field programmable gate array (FPGA) storage area are calculated. The simulation results are in good agreement with the results of heavy ion single particle effect test. The simulation results reveal the physical mechanism of the single particle flipping sensitivity related to the area of the device NLP cutoff tube, and obtain the distribution of the single particle flip sensitive region under different linear energy transfer (LET) values. Monte Carlo method is used to calculate the ion track distribution with the same LET and different energies. The results show that the ionization track radius of high energy ion is much larger than that of low energy ion, but the energy density of track center of low energy ion is about two to three orders of magnitude higher than that of low energy ion track center. As the characteristic size of the device decreases, the effect of this difference will become more and more obvious, and the threshold let and the saturation cross section will not be able to fully describe the single-particle effect of the device.
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所 電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;西北核技術(shù)研究所;中國原子能科學(xué)研究院;
【分類號】：O572.2;TP333

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：2025833