本文選題：NAND型Flash存儲器 + 總劑量效應��； 參考：《原子能科學技術》2014年08期

【摘要】：針對鎂光公司的4種NAND型Flash存儲器,開展了不同輻照偏置下的總劑量效應實驗及不同工藝尺寸器件的靜態(tài)加電輻照實驗。實驗結果表明,器件在靜態(tài)加電和動態(tài)輻照偏置下的總劑量效應相似,而與不加電輻照偏置下的總劑量效應不同。不同工藝尺寸器件的敏感參數有相同的變化趨勢,由于受其他因素的綜合影響,各敏感參數并不隨工藝尺寸單調變化。
[Abstract]:The experiments of total dose effect under different irradiation bias and static irradiation of devices with different process sizes have been carried out for four NAND flash memories of Magnesia. The experimental results show that the total dose effect of the device under static and dynamic irradiation bias is similar, but is different from the total dose effect under uncharged irradiation bias. The sensitive parameters of the devices with different process sizes have the same changing trend. Due to the comprehensive influence of other factors, the sensitive parameters do not change monotonously with the process size.
【作者單位】： 西北核技術研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應國家重點實驗室;
【分類號】：TP333

【參考文獻】

相關期刊論文 前3條

1 賀朝會,耿斌,陳曉華,王燕萍,彭宏論;浮柵ROM器件γ輻射效應實驗研究[J];核電子學與探測技術;2002年04期

2 陳斌;沈衛(wèi)華;朱巖;梁耀明;陳曉敏;;嫦娥二號衛(wèi)星大容量存儲器設計[J];航天器工程;2011年05期

3 賀朝會,耿斌,楊海亮,陳曉華,李國政,王燕萍;浮柵ROM器件輻射效應機理分析[J];物理學報;2003年09期

【共引文獻】

相關期刊論文 前10條

1 王曉玲;張國賢;周昕杰;;EEPROM單元輻射機理研究[J];電子與封裝;2010年03期

2 劉張李;鄒世昌;張正選;畢大煒;胡志遠;俞文杰;陳明;王茹;;浮柵存儲器的單粒子輻射效應研究進展[J];功能材料與器件學報;2010年05期

3 范雪;李平;謝小東;李輝;楊志明;叢偉林;;0.18μm浮柵Flash存儲器件的總劑量輻射效應試驗研究[J];固體電子學研究與進展;2011年01期

4 李豫東;張立國;任建岳;;空間光學遙感器中Flash存儲器的輻射效應與加固[J];光學精密工程;2008年10期

5 李豫東;任建岳;金龍旭;張立國;;SRAM、ROM的總劑量輻射效應及損傷分析[J];光學精密工程;2009年04期

6 王俊偉;韓松;;基于uPP接口的嵌入式SAR數據記錄技術研究[J];電子測量技術;2013年08期

7 趙又新;;SRAM輻射效應測試裝置的研制與應用[J];核電子學與探測技術;2006年04期

8 陳瑞;楊忱;;靜態(tài)隨機存取存儲器輻射效應測試系統(tǒng)的研制[J];核電子學與探測技術;2008年06期

9 賀朝會,耿斌,陳曉華,楊海亮;浮柵ROM器件的質子輻射效應實驗研究[J];空間科學學報;2002年02期

10 張興堯;郭旗;張樂情;盧健;吳雪;于新;;Flash存儲器總劑量輻射損傷效應和退火特性[J];核技術;2013年08期

相關會議論文 前1條

1 石曉峰;尹雪梅;李斌;姚若河;;半導體器件的中子輻射效應研究[A];2007'第十二屆全國可靠性物理學術討論會論文集[C];2007年

相關博士學位論文 前2條

1 范雪;一種新型反熔絲存儲器的研制及其抗輻射加固方法研究[D];電子科技大學;2011年

2 肖志強;SOI器件電離總劑量輻射特性研究[D];電子科技大學;2011年

相關碩士學位論文 前3條

1 楮忠強;單片機系統(tǒng)X射線劑量增強效應研究[D];中國工程物理研究院;2009年

2 王潔;陣列雷達回波模擬器技術研究[D];西安電子科技大學;2013年

3 陳業(yè)偉;基于固態(tài)硬盤的大容量存儲卡設計[D];西安電子科技大學;2013年

【二級參考文獻】

相關期刊論文 前10條

1 賀朝會,耿斌,陳曉華,張前美,楊海亮,李國政,劉恩科;pA量級質子束流測量系統(tǒng)[J];核電子學與探測技術;2000年01期

2 賀朝會,陳曉華,李國政,劉恩科,王燕萍,姬林,耿斌,楊海亮;FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子輻照實驗研究[J];核電子學與探測技術;2000年02期

3 賀朝會,耿斌,王燕萍,楊海亮,張正選,陳曉華,李國政,路秀琴,符長波,趙葵,郭繼宇,張新;靜態(tài)隨機存取存儲器重離子單粒子翻轉效應實驗研究[J];核電子學與探測技術;2002年02期

4 趙葆常;楊建峰;汶德勝;高偉;常凌穎;薛彬;;嫦娥二號衛(wèi)星CCD立體相機設計與驗證[J];航天器工程;2011年01期

5 賀朝會,耿斌,陳曉華,楊海亮;浮柵ROM器件的質子輻射效應實驗研究[J];空間科學學報;2002年02期

6 賀朝會,陳曉華,劉恩科,王燕萍,李國政,耿斌,楊海亮;EEPROM 28C64和28C256的14MeV中子輻照特性[J];微電子學;1999年04期

7 劉寅,朱鈞;一種FLASH存儲單元的結構及功能分析[J];微電子學;1998年01期

8 王劍屏,徐娜軍,張廷慶,湯華蓮,劉家璐,劉傳洋,姚育娟,彭宏論,何寶平,張正選;金屬-氧化物-半導體器件γ輻照溫度效應[J];物理學報;2000年07期

9 張廷慶,劉傳洋,劉家璐,王劍屏,黃智,徐娜軍,何寶平,彭宏論,姚育娟;低溫低劑量率下金屬-氧化物-半導體器件的輻照效應[J];物理學報;2001年12期

10 王曉強,謝二慶,錢秉中,賀德衍,朱智勇,金運范;離子輻照對聚苯乙烯低溫導電特性的影響[J];物理學報;2002年05期

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 David Katz,Rick Gentile;32位處理器推動多媒體的發(fā)展[J];電子產品世界;2005年03期

2 ;45nm CPU?只有發(fā)絲的十萬分之一![J];電腦愛好者;2008年12期

3 ;內嵌式MMC迎來曙光[J];中國電子商情(基礎電子);2009年07期

4 陳慕羿;;一種冗余容錯CORDIC處理器結構[J];科技創(chuàng)新導報;2009年08期

5 劉必慰;陳書明;汪東;;先進微處理器體系結構及其發(fā)展趨勢[J];計算機應用研究;2007年03期

6 周宏偉;歐國東;齊樹波;張民選;;片上二級cache漏流功耗控制策略研究[J];電子學報;2008年08期

7 周宏偉;張民選;;指令cache體系結構級功耗控制策略研究[J];電子學報;2008年11期

8 蔡剛;楊海鋼;;嵌入式可編程存儲器設計中的“選擇性寄存”方法[J];電子與信息學報;2009年11期

9 趙世凡;樊曉椏;李玉發(fā);;基于亞閾值漏電流的數據Cache低功耗控制策略研究[J];計算機測量與控制;2010年03期

10 李宜瑾;凌云;宋志棠;賈曉玲;羅勝欽;;相變存儲器中選通二極管的模型與優(yōu)化[J];功能材料與器件學報;2010年06期

相關會議論文 前2條

1 楊善潮;郭曉強;林東生;陳偉;王桂珍;李瑞賓;白小燕;;深亞微米CMOS隨機靜態(tài)存儲器反應堆中子輻射效應實驗研究[A];中國核科學技術進展報告——中國核學會2009年學術年會論文集（第一卷·第7冊）[C];2009年

2 趙宗浩;李少青;徐長明;曾艷飛;;一種40nm高速寄存器單元設計[A];第十五屆計算機工程與工藝年會暨第一屆微處理器技術論壇論文集（A輯）[C];2011年

相關重要報紙文章 前4條

1 ;關鍵詞[N];電腦報;2005年

2 記者 陳磊;研發(fā)新一代存儲器,中國在路上[N];科技日報;2008年

3 李洋;穩(wěn)步前進[N];計算機世界;2008年

4 李壯;納米技術改變芯片業(yè)[N];中國高新技術產業(yè)導報;2005年

相關碩士學位論文 前2條

1 黃雪維;SRAM時序信息提取技術研究[D];浙江大學;2010年

2 董婕;高性能通用處理器的可測試性設計研究[D];中國科學院研究生院（計算技術研究所）;2006年

，

本文編號：2025568