本文選題：NAND型Flash存儲(chǔ)器 + 總劑量效應(yīng)��； 參考：《原子能科學(xué)技術(shù)》2014年08期

【摘要】：針對(duì)鎂光公司的4種NAND型Flash存儲(chǔ)器,開展了不同輻照偏置下的總劑量效應(yīng)實(shí)驗(yàn)及不同工藝尺寸器件的靜態(tài)加電輻照實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,器件在靜態(tài)加電和動(dòng)態(tài)輻照偏置下的總劑量效應(yīng)相似,而與不加電輻照偏置下的總劑量效應(yīng)不同。不同工藝尺寸器件的敏感參數(shù)有相同的變化趨勢,由于受其他因素的綜合影響,各敏感參數(shù)并不隨工藝尺寸單調(diào)變化。
[Abstract]:The experiments of total dose effect under different irradiation bias and static irradiation of devices with different process sizes have been carried out for four NAND flash memories of Magnesia. The experimental results show that the total dose effect of the device under static and dynamic irradiation bias is similar, but is different from the total dose effect under uncharged irradiation bias. The sensitive parameters of the devices with different process sizes have the same changing trend. Due to the comprehensive influence of other factors, the sensitive parameters do not change monotonously with the process size.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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