發(fā)布時間：2018-06-09 02:01

  本文選題：自旋軌道轉(zhuǎn)矩 + 自旋電子學(xué)��； 參考：《物理》2017年05期

【摘要】：信息磁存儲技術(shù)在日常生活中,特別是目前的"大數(shù)據(jù)"時代,扮演著極其重要的角色。隨著物理學(xué)的深入研究和發(fā)展,磁存儲技術(shù)也發(fā)生著翻天覆地的變化。磁性隨機(jī)存儲器被視為未來磁存儲技術(shù)的一顆新星,低功耗、讀寫快的特點使其擁有著巨大并且廣泛的應(yīng)用前景。磁存儲技術(shù)很大程度上依賴于寫入和讀取磁存儲單元信息的效率。近年來,基于自旋軌道耦合這一基本物理原理發(fā)展而來的自旋軌道轉(zhuǎn)矩,由于能夠有效地控制磁存儲單元的磁矩,而受到了凝聚態(tài)物理和電子信息領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。涉及自旋軌道轉(zhuǎn)矩的物理效應(yīng),如自旋軌道耦合、自旋霍爾效應(yīng)、Edelstein效應(yīng)等,都正在被全世界科學(xué)家深入地研究中。文章涵蓋了近年來自旋軌道轉(zhuǎn)矩領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展,重點介紹了重金屬、二維材料體系、拓?fù)浣^緣體以及反鐵磁體系中的自旋軌道轉(zhuǎn)矩。文章最后展望了自旋軌道轉(zhuǎn)矩未來的發(fā)展方向及其潛在的工業(yè)應(yīng)用價值。
[Abstract]:Information magnetic storage technology plays an important role in daily life, especially in the big data era. With the further research and development of physics, magnetic storage technology is also changing dramatically. Magnetic random access memory (RAM) is regarded as a new star of magnetic memory technology in the future. It has a large and wide application prospect due to its low power consumption and fast reading and writing. Magnetic memory technology largely depends on the efficiency of writing and reading magnetic memory cell information. In recent years, the spin-orbit torque, which is based on the basic physics principle of spin-orbit coupling, has attracted extensive attention in the field of condensed matter physics and electronic information because it can effectively control the magnetic moment of magnetic memory cells. The physical effects of spin orbit torque, such as spin orbit coupling, spin Hall effect and Edelstein effect, are being deeply studied by scientists all over the world. This paper covers the latest research progress in the field of spin orbit torque in recent years, focusing on the introduction of heavy metals, two-dimensional material systems, topological insulators and spin orbit torque in antiferromagnetic systems. Finally, the future development direction of spin orbit torque and its potential industrial application value are prospected.
【作者單位】： 北京大學(xué)物理學(xué)院量子材料科學(xué)中心;量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃(批準(zhǔn)號:2015CB921104,2014CB920902) 國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:11574006)資助項目
【分類號】：O469;TP333

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2 韓星明;;具有自旋軌道耦合項的Manning-Rosen勢的贗自旋對稱解(英文)[J];原子與分子物理學(xué)報;2009年05期

3 王勇剛,楊永宏;無序電子系統(tǒng)中自旋軌道散射對Hall電導(dǎo)率的影響(英文)[J];Journal of Southeast University(English Edition);2002年02期

4 朱瑞;;一維自旋軌道模型中自旋-軌道能隙產(chǎn)生機(jī)理分析(英文)[J];計算物理;2007年06期

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本文編號：1998293