本文選題：NAND + 錯誤糾正碼��； 參考：《計算機應用》2014年08期

【摘要】：針對嵌入式系統(tǒng)中NAND設(shè)備存儲密度較低的問題,提出一種高存儲密度的新型設(shè)備管理方案。通過研究大量NAND存儲結(jié)構(gòu)和BCH校驗編碼設(shè)計,在頁面中找到一種通用的信息存儲結(jié)構(gòu)模式。使得冗余區(qū)(OOD)編碼滿足錯誤糾正碼(ECC)糾錯能力的同時可容納設(shè)備分區(qū)管理信息,從而將主頁面全部用于數(shù)據(jù)存儲,并以此為基礎(chǔ)進行了設(shè)備讀寫、損益均衡機制的設(shè)計。實驗結(jié)果表明,所提方案中NAND設(shè)備數(shù)據(jù)存儲密度可達98%,優(yōu)于當前多數(shù)主流文件系統(tǒng)。該方案具備很高的數(shù)據(jù)存儲密度,設(shè)備讀寫效率和擦寫壽命相對穩(wěn)定,在嵌入式系統(tǒng)平臺中具備很好的應用優(yōu)勢。
[Abstract]:Aiming at the problem of low storage density of NAND devices in embedded systems, a new device management scheme with high storage density is proposed. By studying a large number of NAND storage structures and BCH verification coding design, a general information storage structure pattern is found in the page. The redundant OODO code can satisfy the error-correcting capability of error correction code (Ecc) and can accommodate the equipment partition management information, so that the main page can be used for data storage. Based on this, the device reading and writing mechanism and the profit and loss equalization mechanism are designed. The experimental results show that the data storage density of NAND devices in the proposed scheme is up to 98, which is superior to most of the current mainstream file systems. This scheme has high data storage density, stable device reading and writing efficiency and writing lifetime, and has a good application advantage in embedded system platform.
【作者單位】： 合肥師范學院計算機科學與技術(shù)系;安徽大學計算機科學與技術(shù)學院;計算智能與信號處理教育部重點實驗室(安徽大學);
【基金】：安徽省高校省級自然科學研究重點項目(KJ2013A217) 安徽省優(yōu)秀青年人才基金資助項目(2011SQRL020ZD)
【分類號】：TP333

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