本文選題：阻變存儲(chǔ)(RRAM)陣列 + 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀　； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年12期

【摘要】：阻變存儲(chǔ)器(RRAM)是一種新型的不揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù),研究阻變存儲(chǔ)器陣列規(guī)模的存儲(chǔ)性能以及可靠性問(wèn)題是推進(jìn)RRAM實(shí)用化的關(guān)鍵。目前通用的基于微控探針臺(tái)的半導(dǎo)體參數(shù)分析的常規(guī)測(cè)量系統(tǒng)無(wú)法完成對(duì)陣列的自動(dòng)化測(cè)試。利用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀(4200-SCS)、開(kāi)關(guān)矩陣以及相關(guān)外圍電路搭建了一套針對(duì)阻變存儲(chǔ)陣列的自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了1Mbit RRAM芯片的初始阻態(tài)分布的讀取、初始化測(cè)試、存儲(chǔ)單元的自動(dòng)化編程/擦除操作。測(cè)試結(jié)果表明,該測(cè)試系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)阻變存儲(chǔ)陣列的自動(dòng)化測(cè)試,為進(jìn)一步工藝參數(shù)和編程算法的優(yōu)化設(shè)計(jì)奠定基礎(chǔ)。
[Abstract]:Resistive memory (RRAM) is a new kind of nonvolatile memory technology. The research on storage performance and reliability of resistive memory array is the key to promote the practicality of RRAM. At present, the conventional measurement system based on microcontrol probe table for semiconductor parameter analysis can not complete the automatic testing of the array. A set of automatic test system for resistive memory array is built by using semiconductor parameter analyzer 4200-SCS, switch matrix and related peripheral circuits. The initial resistance distribution of 1Mbit RRAM chip is read and initialized. Automatic programming / erasure of memory units. The test results show that the test system can realize the automatic test of the resistive memory array and lay a foundation for the optimization design of further process parameters and programming algorithms.
【作者單位】： 北京信息科技大學(xué)信息與通信工程學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61522408)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1956659