本文選題：阻變存儲(RRAM)陣列 + 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀　； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年12期

【摘要】：阻變存儲器(RRAM)是一種新型的不揮發(fā)存儲技術(shù),研究阻變存儲器陣列規(guī)模的存儲性能以及可靠性問題是推進RRAM實用化的關(guān)鍵。目前通用的基于微控探針臺的半導(dǎo)體參數(shù)分析的常規(guī)測量系統(tǒng)無法完成對陣列的自動化測試。利用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀(4200-SCS)、開關(guān)矩陣以及相關(guān)外圍電路搭建了一套針對阻變存儲陣列的自動測試系統(tǒng),實現(xiàn)了1Mbit RRAM芯片的初始阻態(tài)分布的讀取、初始化測試、存儲單元的自動化編程/擦除操作。測試結(jié)果表明,該測試系統(tǒng)可以實現(xiàn)阻變存儲陣列的自動化測試,為進一步工藝參數(shù)和編程算法的優(yōu)化設(shè)計奠定基礎(chǔ)。
[Abstract]:Resistive memory (RRAM) is a new kind of nonvolatile memory technology. The research on storage performance and reliability of resistive memory array is the key to promote the practicality of RRAM. At present, the conventional measurement system based on microcontrol probe table for semiconductor parameter analysis can not complete the automatic testing of the array. A set of automatic test system for resistive memory array is built by using semiconductor parameter analyzer 4200-SCS, switch matrix and related peripheral circuits. The initial resistance distribution of 1Mbit RRAM chip is read and initialized. Automatic programming / erasure of memory units. The test results show that the test system can realize the automatic test of the resistive memory array and lay a foundation for the optimization design of further process parameters and programming algorithms.
【作者單位】： 北京信息科技大學(xué)信息與通信工程學(xué)院;中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61522408)
【分類號】：TP333

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本文編號：1956659