本文選題：累積劑量 + 單粒子效應(yīng)��； 參考：《物理學(xué)報》2014年01期

【摘要】：本文利用60Coγ源和蘭州重離子加速器,開展不同累積劑量下,靜態(tài)隨機存儲器(static random access memory,SRAM)單粒子效應(yīng)敏感性研究,獲取不同累積劑量下SRAM器件單粒子效應(yīng)敏感性的變化趨勢,分析其輻照損傷機理.研究表明,隨著累積劑量的增加,SRAM器件漏電流增大,影響存儲單元低電平保持電壓、高電平下降時間等參數(shù),導(dǎo)致"反印記效應(yīng)".研究結(jié)果為空間輻射環(huán)境中宇航器件的可靠性分析提供技術(shù)支持.
[Abstract]:In this paper, 60Co 緯 source and Lanzhou heavy ion accelerator are used to study the single particle effect sensitivity of static random access memory (SRAM) at different accumulative doses. The variation trend of single particle effect sensitivity of SRAM devices under different accumulative doses is obtained. The mechanism of radiation damage was analyzed. It is shown that with the increase of cumulative dose, the leakage current of SRAM devices increases, which affects the parameters such as the low level holding voltage of memory cell and the time of high level drop, which leads to the "reverse imprint effect". The results provide technical support for reliability analysis of aerospace devices in space radiation environment.
【作者單位】： 強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室 西北核技術(shù)研究所;中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所;電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【基金】：電子薄膜與集成器件國家重點實驗室(批準號:KFJJ201306)資助的課題~~
【分類號】：TP333

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本文編號：1948925