本文選題：“與”型閃存 + “或”型閃存��； 參考：《復(fù)旦大學(xué)》2013年碩士論文

【摘要】：早在上世紀(jì)60年代,人們就發(fā)現(xiàn)由于太空輻射導(dǎo)致了微電子器件功能失效,這對衛(wèi)星產(chǎn)生了致命的危害。后期的各個(gè)時(shí)間段里,人們對輻射對微電子器件的影響的機(jī)理做了詳細(xì)的研究,并提出了加固的方案。不過前期的研究,主要還是正對MOS管器件。隨著EPROM、EEPROM、DDR、Flash的陸續(xù)發(fā)明和使用,輻射對這些產(chǎn)品的影響也逐步的被意識和研究。本文是基于在實(shí)際生產(chǎn)過程中,發(fā)現(xiàn)存在閃存中的數(shù)據(jù),經(jīng)過了一定時(shí)間x射線的檢查后,原來的閾值電壓有變化,進(jìn)而針對現(xiàn)在常用的24nm SSD存儲芯片做了進(jìn)一步的研究。本文首先對閃存產(chǎn)品的基本結(jié)構(gòu)和讀、寫、擦的功能做了基本介紹；然后是詳細(xì)介紹了所使用的芯片結(jié)構(gòu)和測試使用的軟硬件,給出了實(shí)驗(yàn)計(jì)劃和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析方法；根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果做了詳細(xì)的分析,確認(rèn)了在不同輻射劑量下對不同存儲數(shù)據(jù)類型的影響,溫度,不同疊層,不同芯片受到一定輻射后的差異性,以及受到輻射后從新擦除和寫入數(shù)據(jù)的正確性和可靠性做了比較詳細(xì)的研究�；贓PROM和MOS管輻射的影響機(jī)理,總結(jié)了輻射對于FLASH閃存的影響并做了一定的分析,最后提出了一些在實(shí)際生產(chǎn)過程中使用X射線的注意事項(xiàng)。
[Abstract]:As early as the 60s of last century, it was found that space radiation caused the failure of the function of microelectronic devices, which had fatal harm to the satellite. In the later period, the mechanism of the effect of radiation on microelectronic devices was studied in detail, and the scheme of consolidation was put forward. MOS tube devices. With the invention and use of EPROM, EEPROM, DDR and Flash, the influence of radiation on these products is gradually realized and studied. This article is based on the discovery of the existence of data in the flash memory in the actual production process. After a certain time, the threshold voltage has changed after a certain time of X ray inspection, and then it is commonly used in common use. The 24nm SSD memory chip has been further studied. This article first introduces the basic structure of the flash memory product and the function of reading, writing, and wiping; then it introduces the structure of the chip and the software and hardware used in the test, and gives the analysis method of the experimental plan and the experimental results. The effect of different types of storage data under different radiation doses, temperature, different layers, different chips after certain radiation, and the correctness and reliability of the new erasure and write data after radiation are studied in detail. The mechanism based on the radiation of EPROM and MOS tubes is summarized. The influence of radiation on FLASH flash memory is analyzed. Finally, some notices of using X ray in actual production process are put forward.
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2013
【分類號】：TP333

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本文編號：1915939