相變存儲(chǔ)單元RESET電流與電極尺寸關(guān)系的數(shù)值模擬
本文選題:相變存儲(chǔ)器 + 數(shù)值模擬 ; 參考:《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2016年06期
【摘要】:應(yīng)用數(shù)值模擬計(jì)算方法對(duì)相變存儲(chǔ)器單元RESET電流和加熱電極尺寸關(guān)系進(jìn)行了研究,建立了二維存儲(chǔ)單元模型,模擬了電脈沖作用下不同電極尺寸相變存儲(chǔ)單元的RESET過(guò)程,包括不同電極尺寸相變單元RESET過(guò)程的溫度場(chǎng)分布和電阻-電流關(guān)系。模擬結(jié)果表明,RESET電流隨著電極尺寸減小而急劇減小。
[Abstract]:The relationship between phase change memory cell (RESET) current and the size of heating electrode is studied by numerical simulation method. A two-dimensional memory cell model is established to simulate the RESET process of phase change memory cell with different electrode sizes under the action of electric pulse. The temperature field distribution and resistance-current relationship of phase transition unit (RESET) with different electrode sizes are discussed. The simulation results show that the RESET current decreases sharply with the decrease of electrode size.
【作者單位】: 重慶理工大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院;重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院;
【基金】:重慶理工大學(xué)青年科研項(xiàng)目星火支持計(jì)劃項(xiàng)目(2014XH10) 重慶郵電大學(xué)博士啟動(dòng)基金項(xiàng)目(A2015-38);重慶郵電大學(xué)自然基金項(xiàng)目(A2015-51) 重慶市教委科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目(KJ1600439)
【分類號(hào)】:TP333
【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):1911532
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