本文選題：SRAM存儲器 + 電離總劑量效應(yīng)��； 參考：《上海交通大學(xué)》2013年碩士論文

【摘要】：SRAM存儲器是衛(wèi)星電子系統(tǒng)的核心部件,開展SRAM存儲器的空間輻射效應(yīng)研究及抗輻射性能評估對于保證衛(wèi)星在軌可靠運(yùn)行具有重要意義。而國內(nèi)現(xiàn)有方法一般只能對SRAM存儲器的抗輻射性能作出定性判斷,較難單獨(dú)研究SRAM存儲器的空間輻射效應(yīng)規(guī)律,并且存在效應(yīng)測量方法不統(tǒng)一、失效評判依據(jù)各異等問題,較難滿足SRAM存儲器的抗輻射性能評估對試驗方法的需求。 本文通過測量60Coγ射線輻照和輻照后加速退火條件下SRAM存儲器典型直流參數(shù)、交流參數(shù)及功能參數(shù)變化情況,研究了SRAM存儲器的電離總劑量效應(yīng)規(guī)律,選取了存儲數(shù)據(jù)邏輯狀態(tài)出錯(WW≠0)、電源電流作為SRAM存儲器的電離總劑量效應(yīng)敏感參數(shù)；以重離子加速器為輻射源,測量了不同LET的重離子輻照下體硅和SOI工藝SRAM存儲器的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng),得到了器件的σ～LET曲線,并預(yù)估了兩種軌道下器件的空間單粒子翻轉(zhuǎn)率。在以上研究基礎(chǔ)上,建立了SRAM存儲器的空間輻射效應(yīng)模擬試驗方法。 研究結(jié)果已經(jīng)應(yīng)用到八院院標(biāo)《Q/RJ×××-2012宇航用微型計算機(jī)與存儲器單粒子效應(yīng)試驗方法》中,該標(biāo)準(zhǔn)對SRAM存儲器單粒子效應(yīng)模擬試驗的條件和程序給予了詳細(xì)規(guī)定。
[Abstract]:The SRAM memory is the core component of the satellite electronic system . The research on the space radiation effect of SRAM memory and the evaluation of anti - radiation performance are of great significance to ensure the reliable operation of the satellite .

In this paper , by measuring the typical DC parameters , AC parameters and function parameters of SRAM memory under the condition of accelerated annealing after 60 Co 緯 - ray irradiation and irradiation , the regularity of total ionization dose effect of SRAM memory is studied , the error of memory data logic state ( WW 鈮，

本文編號：1872990