本文選題：非易失性存儲器 + 內(nèi)存系統(tǒng)�。� 參考：《計算機研究與發(fā)展》2014年S1期

【摘要】：新型非易失性存儲器(non-volatile memory,NVM)具有擴展性好、靜態(tài)能耗低、非易失性等特點,基于NVM的內(nèi)存系統(tǒng)有望在未來補充甚至替代DRAM內(nèi)存.但是NVM寫延遲較長、寫耐久性有限、動態(tài)寫能耗高的問題,對NVM的實際應用產(chǎn)生了挑戰(zhàn).NVM內(nèi)存系統(tǒng)如何影響應用程序,哪些因素會影響NVM內(nèi)存系統(tǒng)的性能,是一個值得研究的問題.初步評測了NVM內(nèi)存系統(tǒng)的性能,所提出的NVM內(nèi)存包括兩種:一種是只有NVM的內(nèi)存(NVM-only memory);另一種是DRAM/NVM構(gòu)成的混合內(nèi)存.同時對比了NVM內(nèi)存與DRAM內(nèi)存的性能,分析了影響NVM內(nèi)存系統(tǒng)的因素.最后,討論了NVM內(nèi)存系統(tǒng)研究的未來工作.
[Abstract]:The new non-volatile memory (NVM) has the characteristics of good expansibility, low static energy consumption and non-volatile, etc. It is expected that the memory system based on NVM will supplement or even replace DRAM memory in the future. However, the problems of long write delay, limited write durability and high dynamic write energy consumption have challenged the practical application of NVM. How to affect the application program and what factors will affect the performance of NVM memory system. It is a problem worth studying. The performance of NVM memory system is preliminarily evaluated. The proposed NVM memory includes two types: one is NVM-only memory with only NVM and the other is hybrid memory composed of DRAM/NVM. At the same time, the performance of NVM memory and DRAM memory is compared, and the factors affecting NVM memory system are analyzed. Finally, the future work of NVM memory system research is discussed.
【作者單位】： 中國科學院計算技術(shù)研究所;中國科學院大學;
【基金】：國家自然科學基金項目(61379042,61221062) 國家“九七三”高技術(shù)研究發(fā)展計劃基金項目(2011CB302502) 華為研究項目(YB2013090048) 中國科學院戰(zhàn)略性先導專項課題(XDA06010401)
【分類號】：TP333

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本文編號：1861451