發(fā)布時(shí)間：2018-05-08 12:42

  本文選題：非易失性存儲(chǔ)器 + 內(nèi)存系統(tǒng)�。� 參考：《計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展》2014年S1期

【摘要】：新型非易失性存儲(chǔ)器(non-volatile memory,NVM)具有擴(kuò)展性好、靜態(tài)能耗低、非易失性等特點(diǎn),基于NVM的內(nèi)存系統(tǒng)有望在未來(lái)補(bǔ)充甚至替代DRAM內(nèi)存.但是NVM寫(xiě)延遲較長(zhǎng)、寫(xiě)耐久性有限、動(dòng)態(tài)寫(xiě)能耗高的問(wèn)題,對(duì)NVM的實(shí)際應(yīng)用產(chǎn)生了挑戰(zhàn).NVM內(nèi)存系統(tǒng)如何影響應(yīng)用程序,哪些因素會(huì)影響NVM內(nèi)存系統(tǒng)的性能,是一個(gè)值得研究的問(wèn)題.初步評(píng)測(cè)了NVM內(nèi)存系統(tǒng)的性能,所提出的NVM內(nèi)存包括兩種:一種是只有NVM的內(nèi)存(NVM-only memory);另一種是DRAM/NVM構(gòu)成的混合內(nèi)存.同時(shí)對(duì)比了NVM內(nèi)存與DRAM內(nèi)存的性能,分析了影響NVM內(nèi)存系統(tǒng)的因素.最后,討論了NVM內(nèi)存系統(tǒng)研究的未來(lái)工作.
[Abstract]:The new non-volatile memory (NVM) has the characteristics of good expansibility, low static energy consumption and non-volatile, etc. It is expected that the memory system based on NVM will supplement or even replace DRAM memory in the future. However, the problems of long write delay, limited write durability and high dynamic write energy consumption have challenged the practical application of NVM. How to affect the application program and what factors will affect the performance of NVM memory system. It is a problem worth studying. The performance of NVM memory system is preliminarily evaluated. The proposed NVM memory includes two types: one is NVM-only memory with only NVM and the other is hybrid memory composed of DRAM/NVM. At the same time, the performance of NVM memory and DRAM memory is compared, and the factors affecting NVM memory system are analyzed. Finally, the future work of NVM memory system research is discussed.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61379042,61221062) 國(guó)家“九七三”高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃基金項(xiàng)目(2011CB302502) 華為研究項(xiàng)目(YB2013090048) 中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)專(zhuān)項(xiàng)課題(XDA06010401)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1861451