本文選題：SONOS + RCA　； 參考：《微電子學》2014年06期

【摘要】：介紹了當今業(yè)界流行的兩種隧穿氧化層淀積預清洗工藝:改進的RCA預清洗工藝以及HF-last預清洗工藝。通過實驗對比各自優(yōu)缺點,分析差異產(chǎn)生的根本原因。相對于改進的RCA預清洗工藝,HF-last預清洗工藝使SONOS存儲器閾值電壓窗口增大約600mV。但可靠性測試結(jié)果表明,HF-last工藝會降低器件的耐烘烤和耐擦寫循環(huán)能力。進一步的電荷泵對比實驗結(jié)果表明,HF-last工藝引起的耐烘烤和耐擦寫循環(huán)能力的降低,分別由Si-SiO2界面態(tài)增加和隧穿氧化層變薄引起。
[Abstract]:This paper introduces two kinds of tunneling oxide deposition precleaning processes: improved RCA precleaning process and HF-last precleaning process. By comparing the advantages and disadvantages of the experiment, the root cause of the difference is analyzed. Compared with the improved RCA pre-cleaning process, the HF-last pre-cleaning process increases the threshold voltage window of SONOS memory by about 600mV. However, the reliability test results show that the HF-last process can reduce the roasting resistance and scratch resistance of the device. The experimental results of further charge pump comparison show that the decrease of roasting resistance and scratch resistance caused by HF-last process is caused by the increase of Si-SiO2 interface state and the thinning of the tunneling oxide layer, respectively.
【作者單位】： 華東師范大學;上海華虹宏力半導體制造有限公司;
【基金】：國家自然科學基金青年基金資助項目(61204038)
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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本文編號：1826561