本文選題：一次性可編程存儲器 + 位線　； 參考：《微電子學》2015年05期

【摘要】：在OTP存儲器設計中,隨著存儲器容量的不斷加大,位線負載也相應變大,可能導致讀機制失效。為了防止發(fā)生讀機制失效,需增加靈敏放大器充電時間,但是延長充電時間會影響讀取速度。在分析OTP存儲器靈敏放大器工作原理的基礎上,重點研究了位線負載對讀出速度的影響。通過仿真,優(yōu)化了OTP存儲器的讀出電路參數(shù)。
[Abstract]:In the design of OTP memory, with the increase of memory capacity, the load of bit line becomes larger, which may lead to the failure of reading mechanism.In order to prevent the failure of the reading mechanism, the charge time of the sensitive amplifier should be increased, but the longer the charging time will affect the reading speed.Based on the analysis of the principle of OTP memory sensitive amplifier, the effect of bit line load on readout speed is studied.The readout circuit parameters of OTP memory are optimized by simulation.
【作者單位】： 電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【基金】：電子薄膜與集成器件國家重點實驗室創(chuàng)新基金資助項目(CXJJ200905)
【分類號】：TP333

【參考文獻】

相關期刊論文 前3條

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【共引文獻】

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本文編號：1771598