本文選題：高密度存儲(chǔ)　切入點(diǎn)：器件　出處：《現(xiàn)代化工》2017年11期

【摘要】：正日前從中科院獲悉,10月17日,國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃"戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料"重點(diǎn)專項(xiàng)"新型高密度存儲(chǔ)材料與器件"項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在中國(guó)科學(xué)院微電子研究所召開。"新型高密度存儲(chǔ)材料與器件"面向大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的需求,研究相變、阻變、鐵電等新型存
[Abstract]:It was learned from the Chinese Academy of Sciences that on 17 October, The National key R & D Program "Strategic Advanced Electronic Materials" key item "New High density Storage Materials and Devices" will be held at the Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences. "New High density Storage Materials and Devices" Facing the needs of massive data storage and processing in big data era, Study on new types of storage, such as phase change, resistance, ferroelectricity, etc.
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1695361