本文選題：雙勢壘　切入點(diǎn)：硅量子點(diǎn)　出處：《中國科學(xué):技術(shù)科學(xué)》2015年01期

【摘要】：采用等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)及熱退火方法制備了含硅量子點(diǎn)的Si Cx薄膜.透射電子顯微鏡(TEM)觀測表明Si Cx薄膜中生長了大量硅量子點(diǎn).制備了含Si Cx薄膜包裹硅量子點(diǎn)的雙勢壘存儲器結(jié)構(gòu).TEM觀測表明,采用上述工藝成功制備了Si3N4/Si Cx薄膜/Si-QDs/Si Cx薄膜/Si O2雙勢壘結(jié)構(gòu)的存儲器結(jié)構(gòu).利用硅量子點(diǎn)的庫倫阻塞效應(yīng)及量子限域效應(yīng),從理論上分析了雙勢壘硅量子點(diǎn)存儲器的編程機(jī)制,建立了雙勢壘存儲結(jié)構(gòu)閾值電壓漂移模型,模擬仿真表明雙勢壘存儲器的閾值電壓漂移要大于單勢壘存儲器,編程速度更快.存儲結(jié)構(gòu)C-V特性測試表明,樣品在掃描柵壓為±12 V時(shí)有10 V左右的存儲窗口,證明雙勢壘存儲結(jié)構(gòu)具有良好載流子存儲效應(yīng).
[Abstract]:SiCx thin films containing silicon quantum dots were prepared by plasma chemical vapor deposition (PECVD) and thermal annealing. Transmission electron microscopy (TEM) measurements showed that a large number of silicon quantum dots were grown in Si Cx films. The double barrier memory structure of silicon quantum dots is observed by TEM. The memory structure of Si3N4/Si Cx / Si-QDsp-SiCx / SiO2 double barrier structure has been successfully fabricated by using the above process. The programming mechanism of double-barrier silicon quantum dot memory has been analyzed theoretically by using the Coulomb blocking effect and quantum limiting effect of silicon quantum dot. The threshold voltage drift model of double barrier storage structure is established. The simulation results show that the threshold voltage drift of double barrier memory is larger than that of single barrier memory, and the programming speed is faster. The sample has about 10 V storage window at 鹵12 V gate voltage, which proves that the double barrier storage structure has good carrier storage effect.
【作者單位】： 華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院;深圳華中科技大學(xué)研究院;
【基金】：教育部支撐技術(shù)計(jì)劃(批準(zhǔn)號:62501040202) 國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:51472096) 中央高校基礎(chǔ)科研基金(批準(zhǔn)號:2014NY004) 深圳市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項(xiàng)資金(批準(zhǔn)號:JCYJ20120831110939098)資助項(xiàng)目
【分類號】：O471.1;TP333

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