本文選題：NAND　切入點(diǎn)：存儲(chǔ)芯片　出處：《集成電路應(yīng)用》2016年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：正由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目,其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過(guò)240億美元,此項(xiàng)目之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)。預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。
[Abstract]:Because of the strong demand for smart phone SSD, flash memory, memory and other memory chips have been increasing recently, which also gives Chinese companies an opportunity to intervene in the memory chip market. In China's plans to develop the semiconductor industry, memory chips are the top priority. There is also competition from all over the country for the start of the project, in which the state-level storage chip base in Wuhan, with an investment of more than 24 billion US dollars, was previously dominated by the new core technology. It is now dominated by Ziguang, which is expected to officially launch its own 3D NAND flash memory on 2017, with a 32-layer stack, starting from a good start.
【作者單位】： SICA;
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1581809