本文選題：NAND　切入點：存儲芯片　出處：《集成電路應用》2016年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：正由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,此項目之前是新芯科技主導,現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導。預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。
[Abstract]:Because of the strong demand for smart phone SSD, flash memory, memory and other memory chips have been increasing recently, which also gives Chinese companies an opportunity to intervene in the memory chip market. In China's plans to develop the semiconductor industry, memory chips are the top priority. There is also competition from all over the country for the start of the project, in which the state-level storage chip base in Wuhan, with an investment of more than 24 billion US dollars, was previously dominated by the new core technology. It is now dominated by Ziguang, which is expected to officially launch its own 3D NAND flash memory on 2017, with a 32-layer stack, starting from a good start.
【作者單位】： SICA;
【分類號】：TP333

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