本文關(guān)鍵詞： SRAM 位線漏電流 漏電流補(bǔ)償與降低技術(shù) 位線自截?cái)嗉夹g(shù) 位線取反放大技術(shù)　出處：《安徽大學(xué)》2012年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：隨著SRAM在PC,網(wǎng)絡(luò),移動(dòng)通信等需要快速存取與傳輸數(shù)據(jù)的應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,人們對(duì)高速SRAM的需求也會(huì)隨之不斷增長(zhǎng)。然而隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步,器件的漏電流也呈現(xiàn)出越來(lái)越大的增長(zhǎng)趨勢(shì)。漏電流的增大會(huì)給高速SRAM的設(shè)計(jì)帶來(lái)許多新的問(wèn)題與挑戰(zhàn),其中‘個(gè)重大的問(wèn)題就是存在于SRAM位線上的過(guò)大漏電流會(huì)造成SRAM的性能出現(xiàn)嚴(yán)重下降甚至?xí)苯訉?dǎo)致SRAM讀失效的發(fā)生。針對(duì)這一問(wèn)題,本文深入研究了位線漏電流對(duì)高速SRAM設(shè)計(jì)的影響并提出各種消除該影響的技術(shù)與方法。本文的主要研究工作如下： 1,論文首先分析了‘款傳統(tǒng)的位線漏電流補(bǔ)償電路,通過(guò)建立合適的電路模型對(duì)該種漏電流的補(bǔ)償工作機(jī)理進(jìn)行了分析,得出的結(jié)論認(rèn)為這種預(yù)先檢測(cè)漏電流然后全部補(bǔ)償?shù)姆椒ㄓ锌赡軐?dǎo)致SRAM的性能出觀下降； 2,基于1所得出的結(jié)論,本文設(shè)計(jì)了兩款新的漏電流補(bǔ)償電路,這兩款補(bǔ)償電路均放棄了之前的預(yù)先檢測(cè)后補(bǔ)償?shù)牟襟E,而是直接檢測(cè)兩根位線的電位變化率,并在電路實(shí)現(xiàn)過(guò)程中中根據(jù)被檢測(cè)信號(hào)的電位變化率的不同自動(dòng)形成正反饋回路,從而讓兩根位線中放電較慢的一根位線放電更慢而讓放電較快的一根位線放電更快,從而消除位線上存在的較大漏電流對(duì)SRAM的不利影響； 3,本論文然后結(jié)合2中所提出的一款漏電流補(bǔ)償電路進(jìn)一步提出一種新型電流型SA的電路設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)在存在較大漏電流的大背景下提高SRAM性能的目的; 4,針對(duì)漏電流進(jìn)‘步增大,特別是當(dāng)最壞情況‘下位線上所積累的漏電流已經(jīng)超過(guò)SRAM的工作電流的情況,由于傳統(tǒng)的一些方法與技術(shù)在這一新的范疇內(nèi)將趨于失效,于是本論文試圖對(duì)這一情況進(jìn)行一些探索性地研究,并提出可以采用位線自截?cái)嗉夹g(shù)來(lái)消除過(guò)大漏電流對(duì)SRAM的不利影響; 5,針對(duì)4中所提出的位線自截?cái)嗉夹g(shù)存在的性能上限問(wèn)題,本論文通過(guò)結(jié)合分級(jí)位線技術(shù),位線白截?cái)嗉夹g(shù)以及電荷分享技術(shù)等更進(jìn)一步地提出一種位線取反放大技術(shù),該技術(shù)可以在存在較大位線漏電流的情況下實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步提升SRAM性能的目的。
[Abstract]:With the development of SRAM applications in PCS, network, mobile communication and so on, the demand for high-speed SRAM will increase. However, with the progress of semiconductor technology, The leakage current of the device also shows an increasing trend. The increase of leakage current will bring many new problems and challenges to the design of high-speed SRAM. One of the major problems is that the excessive leakage current on the SRAM bit line will cause a serious decline in the performance of the SRAM and even lead directly to the SRAM reading failure. In this paper, the influence of bit line leakage current on the design of high speed SRAM is deeply studied, and various techniques and methods to eliminate this effect are put forward. The main work of this paper is as follows:. 1. Firstly, the paper analyzes the traditional bit line leakage current compensation circuit, and analyzes the compensation mechanism of the leakage current by establishing an appropriate circuit model. The conclusion is that this method of detecting leakage current in advance and compensating it completely may lead to the degradation of SRAM performance. 2. Based on the conclusion of 1, two new leakage current compensation circuits are designed in this paper. These two compensation circuits abandon the previous steps of pre-detection and compensation, but directly detect the potential change rate of two bit lines. In the realization of the circuit, the positive feedback loop is automatically formed according to the change rate of the potential of the detected signal, so that the slower one bit line in the two bit lines and the faster one bit line discharge faster. In order to eliminate the negative effect of the large leakage current on the bit line on SRAM; 3. In this paper, a novel current mode SA circuit is designed based on a leakage current compensation circuit proposed in 2, so as to improve the performance of SRAM under the background of large leakage current. 4. In view of the stepwise increase of leakage current, especially when the accumulated leakage current on the worst-case line has exceeded the operating current of SRAM, some traditional methods and techniques will tend to fail in this new category. Therefore, this paper attempts to do some exploratory research on this situation, and proposes that the bit-line self-truncation technique can be used to eliminate the adverse effects of excessive leakage current on SRAM. 5. Aiming at the performance upper limit problem of bit line self-truncation technology proposed in 4, this paper proposes a bit line reverse amplification technique by combining hierarchical bit line technology, bit line white truncation technique and charge sharing technology. This technique can further improve the performance of SRAM in the presence of large bit line leakage current.
【學(xué)位授予單位】：安徽大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2012
【分類號(hào)】：TP333

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4 岳e，

本文編號(hào)：1523330