本文關(guān)鍵詞：阻變存儲器RESET機(jī)制溫度依賴研究　出處：《復(fù)旦大學(xué)》2012年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

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【摘要】：智能手機(jī)和平板電腦的高速發(fā)展使得高速、大容量的非揮發(fā)存儲器需求提高,而Flash因?yàn)椴僮麟妷焊?讀寫速度不快而且Scaling將要到達(dá)極限將不能滿足未來的要求。目前研究人員正在開發(fā)的新型非揮發(fā)存儲器主要有鐵電存儲器(FeRAM),磁存儲器(MRAM),相變存儲器(PRAM, PCRAM)以及阻變存儲器(RRAM)。 阻變存儲器(Resistance switching RAM)具備操作電壓低,操作時間短,單元面積小等優(yōu)點(diǎn)；基于金屬氧化物的阻變存儲器由于其結(jié)構(gòu)簡單、與邏輯工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最具潛力的下一代非揮發(fā)存儲技術(shù)。由于阻變存儲器的巨大潛力,其日益引起人們的重視。在對阻變存儲器的阻變機(jī)制研究方面,導(dǎo)電細(xì)絲理論是最為廣泛接受的,但導(dǎo)電細(xì)絲的生長和斷裂具體的物理過程仍不明確。 本文研究了基于原子層淀積生長的NbAlO薄膜的阻變存儲器和基于原子層淀積生長的HfAlO薄膜的阻變存儲器的材料特性,測量了其在低溫下的電學(xué)特性。在實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,基于導(dǎo)電細(xì)絲理論,分析了焦耳熱和電荷陷阱捕獲對于RRAM RESET過程的影響,認(rèn)為電荷陷阱在導(dǎo)電細(xì)絲的形成中起到重要的作用。然后是對全文工作的總結(jié)。
[Abstract]:The rapid development of intelligent mobile phone and tablet computer has high speed, large capacity non-volatile memory demand increased, while the Flash because of high operating voltage, read and write speed and Scaling will reach the limit will not meet the requirements of the future. The new non-volatile memory currently researchers are developing mainly in ferroelectric memory (FeRAM), magnetic memory (MRAM), phase change memory (PRAM, PCRAM) and resistive random access memory (RRAM).
RRAM (Resistance switching RAM) with low voltage operation, short operation time, has the advantages of small unit size; metal oxide based resistive memory because of its simple structure, with the advantages of logic compatible, was considered to be the most promising next-generation nonvolatile memory technology. Because of the great potential of RRAM and it has attracted people's attention. The study on Mechanism of RRAM resistance, conductive filament theory is one of the most widely accepted, but the physical process of growth and rupture of conductive filaments of the concrete is not clear.
This paper studied the material properties of NbAlO thin films grown by atomic layer deposition based resistive memory and memory HfAlO atomic layer deposition of thin film growth based on resistance, in the low temperature electrical characteristics are measured. On the basis of experiments, the conductive filaments based on the theory analysis of Joule heat and charge trap for RRAM RESET the charge trap plays an important role in the formation of conducting filaments. Then is a summary of the whole work.

【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2012
【分類號】：TP333

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本文編號：1431935